[發明專利]處理襯底的方法

在審

• 申請號: 202111657754.0
• 申請日: 2021-12-31
• 公開（公告）號: CN114724924A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 劉澤鋮;吉田嵩志;中野竜;I.祖爾科夫;Y.孫;Y.F.湯姆查克;D.德羅斯特
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/26;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

公開了用于在襯底上光刻定義圖案的方法和相關系統。示例性方法包括形成結構。該方法包括向反應室提供襯底。襯底包括半導體和表面層。表面層包括無定形碳。該方法還包括在表面層上形成阻擋層和在襯底上沉積含金屬層。含金屬層包括氧和金屬。

技術領域

本公開總體涉及表面處理，特別是用于形成結構的表面處理。此外，本公開涉及包括處理過的表面的結構。

背景技術

在電子器件的制造過程中，通過圖案化襯底表面并使用例如氣相蝕刻過程從襯底表面蝕刻材料，可以在襯底表面上形成特征的精細圖案。隨著襯底上器件密度的增加，越來越需要形成更小尺寸的特征。因此，需要用于在襯底上形成具有小尺寸的特征的改進方法。

在本部分中闡述的問題和解決方案的任何討論已經包括在本公開中，僅僅是為了提供本公開的背景，不應被認為是承認任何或所有討論在本發明做出時是已知的。

發明內容

本公開的各種實施例涉及用于處理表面的方法。雖然本公開的各種實施例解決現有方法和結構的缺點的方式將在下面更詳細地討論，但一般來說，本公開的各種實施例可以用于改善輻射敏感層的各個方面，例如期望的蝕刻選擇性、低線寬粗糙度(LWR)、圖案質量(低數量的缺陷和高圖案保真度)、與集成的兼容性和/或在EUV光刻處理期間的穩定性—例如在任何暴露后烘焙(PEB)期間。

根據本公開的示例性實施例，本文描述了一種形成結構的方法。該方法按以下順序包括：向反應室提供襯底，在表面層上形成阻擋層，以及在襯底上沉積含金屬層。襯底包括半導體和表面層。表面層包括無定形碳。含金屬層包括氧和金屬。

在一些實施例中，在表面層上形成阻擋層包括將表面層暴露于含氮等離子體。因此，形成等離子體改性的表面層。

在一些實施例中，在表面層上形成阻擋層包括在等離子體改性的表面層上沉積中間層。

在一些實施例中，在表面層上形成阻擋層包括在表面層上沉積中間層。

在一些實施例中，在表面層上形成阻擋層還包括將中間層暴露于含氮等離子體。因此，形成等離子體改性的中間層。

在一些實施例中，沉積中間層包括包含多個后續循環的循環過程。循環包括中間層前體脈沖和中間層反應物脈沖。中間層前體脈沖包括向反應室提供中間層前體。中間層反應物脈沖包括向反應室提供中間層反應物。

在一些實施例中，中間層前體選自由硅前體、鈦前體和鉭前體構成的列表。

在一些實施例中，中間層反應物是氧反應物。

在一些實施例中，氧反應物包括選自O₂,O₃,H₂O,H₂O₂,N₂O,NO,CO₂,CO和NO₂的氣態物質。

在一些實施例中，向反應室提供中間層前體的步驟和向反應室提供中間層反應物的步驟都不包括在反應室中產生等離子體。

在一些實施例中，中間層具有3nm或更小的厚度。

在一些實施例中，該方法還包括在含金屬層上沉積光致抗蝕劑層的步驟。

在一些實施例中，光致抗蝕劑層包括EUV光致抗蝕劑。

在一些實施例中，在襯底上沉積含金屬層的步驟包括包含多個后續循環的循環沉積過程。循環包括含金屬層前體脈沖和含金屬層反應物脈沖。

在一些實施例中，含金屬層前體脈沖和含金屬層反應物脈沖中的至少一個之前是吹掃。