[發明專利]內存參數適配方法、裝置、終端設備及存儲介質在審
| 申請號: | 202111653051.0 | 申請日: | 2021-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN114416446A | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 趙博雅;張映俊;葉信鋒 | 申請(專利權)人: | 深圳云天勵飛技術股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/22 | 分類號: | G06F11/22 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 左婷蘭 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區園山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 內存 參數 配方 裝置 終端設備 存儲 介質 | ||
本申請提供一種內存參數適配方法、裝置、終端設備及存儲介質,所述內存參數適配方法包括:獲取N個內存參數的M組第一參數取值,每組所述第一參數取值是N個所述內存參數的一種取值組合,M為大于1的整數,N為大于零的整數;基于M組所述第一參數取值分別對待測設備中的內存進行第一壓力測試;若M組所述第一參數取值中所述第一壓力測試成功的第二參數取值的組數大于H,則從N個所述內存參數在所有組的所述第二參數取值中的所有取值中,確定N個所述內存參數的候選取值;將N個所述內存參數的候選取值進行組合,得到第三參數取值;從所有組的所述第三參數取值中確定目標參數取值。通過本申請可提高內存參數的適配效率。
技術領域
本申請屬于嵌入式技術領域,尤其涉及一種內存參數適配方法、裝置、終端設備及存儲介質。
背景技術
嵌入式設備的存儲、運行內存有限,內存型號各不相同,內存初始化的參數通常隨具體硬件的不同而不同。新產品開發者在設計嵌入式設備的印制電路板(Printed CircuitBoard,PCB)和進行內存選型時,由于實際設計與參考設計通常有所出入,故如何選擇內存的參數較為關鍵。現有技術是芯片廠商提供指導,開發者根據經驗自行調整某些參數進行測試,對開發者的經驗要求較高,而且耗時較長,適配效率較低。
發明內容
本申請實施例提供了一種內存參數適配方法、裝置、終端設備及存儲介質,以提高內存參數的適配效率。
第一方面,本申請實施例提供了一種內存參數適配方法,所述內存參數適配方法包括:
獲取N個內存參數的M組第一參數取值,每組所述第一參數取值是N個所述內存參數的一種取值組合,M為大于1的整數,N為大于零的整數;
基于M組所述第一參數取值分別對待測設備中的內存進行第一壓力測試;
若M組所述第一參數取值中所述第一壓力測試成功的第二參數取值的組數大于H,則從N個所述內存參數在所有組的所述第二參數取值中的所有取值中,確定N個所述內存參數的候選取值,一個所述內存參數的候選取值是指該內存參數在所有組的所述第二參數取值中出現頻率超過頻率閾值的取值,H為大于1且小于M的整數;
將N個所述內存參數的候選取值進行組合,得到第三參數取值;
從所有組的所述第三參數取值中確定目標參數取值,所述目標參數取值是使所述內存的穩定性達到預設要求的N個所述內存參數的取值。
第二方面,本申請實施例提供了一種內存參數適配裝置,所述內存參數適配裝置包括:
第一獲取模塊,用于獲取N個內存參數的M組第一參數取值,每組所述第一參數取值是N個所述內存參數的一種取值組合,M為大于1的整數,N為大于零的整數;
第一測試模塊,用于基于M組所述第一參數取值分別對待測設備中的內存進行第一壓力測試;
第一確定模塊,用于若M組所述第一參數取值中所述第一壓力測試成功的第二參數取值的組數大于H,則從N個所述內存參數在所有組的所述第二參數取值中的所有取值中,確定N個所述內存參數的候選取值,一個所述內存參數的候選取值是指該內存參數在所有組的所述第二參數取值中出現頻率超過頻率閾值的取值,H為大于1且小于M的整數;
取值組合模塊,用于將N個所述內存參數的候選取值進行組合,得到第三參數取值;
第二確定模塊,用于從所有組的所述第三參數取值中確定目標參數取值,所述目標參數取值是使所述內存的穩定性達到預設要求的N個所述內存參數的取值。
第三方面,本申請實施例提供了一種終端設備,包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序,所述處理器執行所述計算機程序時實現如上述第一方面所述的內存參數適配方法的步驟。
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