[發明專利]一種集成式內存老化測試裝置在審
| 申請號: | 202111594265.5 | 申請日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN114420193A | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 谷新亮;劉德旺 | 申請(專利權)人: | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56;G11C29/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛晨光 |
| 地址: | 215100 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 內存 老化 測試 裝置 | ||
1.一種集成式內存老化測試裝置,其特征在于,包括設有集成電路的測試板卡(1),所述測試板卡(1)設置用于模擬整機工作條件的輔助元器件,所述輔助元器件包括處理器、電源;
所述測試板卡(1)設置至少兩組規格不同的內存插座(2),每組所述內存插座(2)能夠插裝若干塊相應規格的內存條;所述內存插座(2)由所述測試板卡(1)供電并模擬工作狀態;
所述測試板卡(1)設置老化罩(3),殼體狀的所述老化罩(3)能夠環繞罩設在所述內存插座(2)的外周,能夠為待測內存條提供制冷和/或制熱環境。
2.根據權利要求1所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,每組所述內存插座(2)分別設置高電壓測試位和低電壓測試位。
3.根據權利要求2所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述高電壓測試位的電壓為DC+5%,所述低電壓測試位的電壓為DC-5%。
4.根據權利要求3所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述內存插座(2)包括標準、中型、微型三種尺寸規格,每種尺寸規格設置四個插座,其中兩個為高電壓測試位,另外兩為低電壓測試位。
5.根據權利要求3所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述老化罩(3)設置風扇(31)和通風網(32),所述風扇(31)用于驅動氣流流動,所述通風網(32)作為氣流的內外交流通道。
6.根據權利要求5所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述老化罩(3)的上表面設置所述風扇(31),其中一個側壁設置所述通風網(32),與所述通風網(32)相對的側壁設置一個所述風扇(31)。
7.根據權利要求6所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述測試板卡(1)設置顯示器(5),所述顯示器(5)用于顯示內存條的工作狀態及環境條件。
8.根據權利要求1至7任一項所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述老化罩(3)為半導體控溫罩,通過改變半導體的電流方向實現制冷或制熱。
9.根據權利要求8所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述測試板卡(1)設置老化供電模塊(4),所述老化供電模塊(4)將輸入的交流電轉換為直流電,向所述老化罩(3)供電。
10.根據權利要求1至7任一項所述的集成式內存老化測試裝置,其特征在于,所述老化罩(3)為外表面設置保溫層的金屬外殼,內部采用加熱絲加熱。
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