[發(fā)明專利]一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111586363.4
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN114267749B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李偉;李佳峻
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L31/112
• 分類號: H01L31/112;H01L31/18
• 代理公司: 成都正煜知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51312
• 代理人: 徐金瓊

1.一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：包括柵型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基片(1)，依次設(shè)置在半導(dǎo)體基片(1)上的第一過渡層(2)、第一石墨烯膜(3)和陰極(4)，依次設(shè)置在半導(dǎo)體基片(1)上的第二過渡層(5)、第二石墨烯膜(6)和陽極(7)；在激光照射一側(cè),半導(dǎo)體基片上刻蝕了周期性的槽為柵型結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述第一過渡層(2)、第一石墨烯膜(3)和陰極(4)依次設(shè)置在半導(dǎo)體基片(1)的上表面上；

所述第二過渡層(5)、第二石墨烯膜(6)和陽極(7)依次設(shè)置在半導(dǎo)體基片(1)的上表面或下表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述半導(dǎo)體基片(1)為純度99.999％以上的砷化鎵或碳化硅中的一種制備而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述第一過渡層(2)和第二過渡層(5)為金屬材質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述第一過渡層(2)和第二過渡層(5)由鉑或鈀中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述第一石墨烯膜(3)和第二石墨烯膜(6)為單層的石墨烯，厚度為μm量級。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：所述陰極(4)和陽極(7)由銅鍍金制備而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種基于石墨烯膜的光導(dǎo)半導(dǎo)體開關(guān)，其特征在于：槽的寬度為1mm-3mm，長度為10mm-20mm，深度為3mm。