[發(fā)明專利]一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111574230.5
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN114300423A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉書利;張鵬;鄒志鍵;趙偉宇
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/02;H01L21/48
• 代理公司: 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊強(qiáng);楊立秋

本發(fā)明公開一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于微電子領(lǐng)域。該封裝結(jié)構(gòu)包括封裝外殼、裝片粘接材料、芯片、鍵合線、封裝蓋板和防擴(kuò)散溝道。芯片通過裝片粘接材料固定在封裝外殼內(nèi)；芯片的焊盤與封裝外殼通過鍵合線相連，位于封裝外殼上的鍵合點(diǎn)與引腳相連。防擴(kuò)散溝道刻蝕在封裝外殼內(nèi)裝片區(qū)域的外圍，靠近芯片且遠(yuǎn)離鍵合線的位置，避開鍵合線。封裝外殼的正面通過粘接、錫金焊料焊接或者平行封焊固定有封裝蓋板。本發(fā)明利用激光刻蝕方式在芯片裝片區(qū)表面刻蝕防裝片粘接材料擴(kuò)散的溝道，而后用常規(guī)方式將芯片進(jìn)行封裝，操作簡單，有效地增強(qiáng)了芯片防裝片粘接材料擴(kuò)散的性能，對于提高芯片封裝成品率有巨大幫助。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

封裝是指將芯片通過一定方式密封在一個(gè)殼體之中，然后通過封裝外殼的引腳與PCB板等結(jié)構(gòu)進(jìn)行互聯(lián)，從而實(shí)現(xiàn)芯片的功能。

隨著微電子領(lǐng)域的快速發(fā)展，封裝電路的尺寸越來越小，這就要求在盡可能狹窄的空間內(nèi)完成電路的封裝，這就給封裝工藝帶來一系列的困難。如較小的裝片腔體、裝片區(qū)與鍵合區(qū)同層等等，因此控制裝片粘接過程中粘接材料的擴(kuò)散就變得尤為重要。

目前，控制裝片粘接材料的擴(kuò)散主要通過裝片工藝以及更換粘接材料進(jìn)行控制，如改變點(diǎn)膠量、改變點(diǎn)膠圖形等。但是這些控制方式并不能很好控制粘接材料的擴(kuò)散，也不能作為普適性的方法進(jìn)行簡單推廣，尤其針對狹窄裝片腔且裝片區(qū)與鍵合指同層的電路，裝片粘接材料擴(kuò)散的問題往往很難克服，常影響后續(xù)鍵合工藝從而大大降低封裝成品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決目前的控制方法無法很好控制裝片粘接材料擴(kuò)散的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

封裝外殼；

芯片，通過裝片粘接材料固定在所述封裝外殼內(nèi)；

防擴(kuò)散溝道，刻蝕在所述封裝外殼的裝片區(qū)域外圍。

可選的，所述芯片的焊盤與所述封裝外殼通過鍵合線相連，位于所述封裝外殼上的鍵合點(diǎn)與引腳相連。

可選的，所述防擴(kuò)散溝道位于所述封裝外殼內(nèi)部，靠近所述芯片且遠(yuǎn)離所述鍵合線的位置。

可選的，所述防擴(kuò)散溝道通過激光刻蝕方式形成，其寬度為10～50μm。

可選的，所述鍵合線為金線、鋁線或銅線。

可選的，所述裝片粘接材料為導(dǎo)電型、絕緣型、導(dǎo)熱型或者耐腐蝕型。

可選的，所述封裝外殼的正面通過粘接、錫金焊料焊接或者平行封焊固定有封裝蓋板。

可選的，所述封裝蓋板的材質(zhì)為陶瓷、金屬或者塑料樹脂。

本發(fā)明還提供了一種防粘接材料擴(kuò)散的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

在封裝外殼內(nèi)，根據(jù)芯片預(yù)裝片覆蓋的區(qū)域大小設(shè)定防擴(kuò)散溝道的位置；

將芯片的背面涂覆裝片粘接材料后將其粘接在封裝外殼內(nèi)，使芯片按照規(guī)定位置進(jìn)行裝片，以保證防擴(kuò)散溝道順利起到防擴(kuò)散作用；

將芯片的焊盤與所述封裝外殼的鍵合點(diǎn)通過鍵合線連接；

將封裝蓋板固定在封裝外殼的正面，從而完成整個(gè)封裝方法。

可選的，所述防擴(kuò)散溝道到完成裝片的所述芯片邊緣的距離為30μm。