[發明專利]一種發光芯片的制備方法及顯示裝置

在審

• 申請號: 202111572161.4
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN116314476A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 孫明曉;劉曉偉;張廷斌;劉永鋒
• 申請（專利權）人: 海信視像科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38;H01L33/50;H01L33/62
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 孫小明

本申請提供了一種發光芯片的制備方法及顯示裝置，包括：在生長基板上制備外延層，在所述外延層的一側制備金屬鍵合層；將所述外延層刻蝕出發光芯片，所述發光芯片與驅動基板通過所述金屬鍵合層建立電氣互聯；去除所述生長基板，在所述外延層的另一側制備N電極，在所述N電極的表面制備量子點色轉換層。本申請中在發光芯片的N電極的表面制備量子點色轉換層，無需另外制作色轉換層基板。避免了現有技術中第一基板和第二基板對貼精度及光串擾等問題，并且因為不需要另外制作色轉換層基板，降低了Micro?LED顯示器件的成本。

技術領域

本申請涉及芯片技術領域，尤其涉及一種發光芯片的制備方法及顯示裝置。

背景技術

Micro-LED相比于LCD和OLED具有高畫質、高集成、低功耗、高可靠性、高器件集成、新形態等明顯技術優勢，可應用于涵蓋TO?B端大屏顯示及TO?C端消費類應用的幾乎所有的主流顯示領域。

Micro?LED芯片中包含色轉換層，現有技術制備色轉換層的過程如圖1所示，它由第一基板01和第二基板02組成。其中第一基板是由薄膜晶體管TFT基板011并鍵合有發光芯片012制成的，它是Micro?LED顯示器發光的主體。而第二基板是由玻璃基板021、Bank?022(黑色，用于隔離不同顏色的量子點和阻止光串擾作用)和量子點023組成。其工藝流程是先在玻璃基板021上制備bank?022，再打印不同顏色的量子點023。第二基板，即色轉換基板制備完成后再和第一基板對貼進而完成Micro?LED顯示器件的制備。現有技術存在的問題是，第一基板和第二基板對貼技術難度較大，存在對貼精度及光串擾等問題，并且Micro?LED顯示器件的成本較高。

發明內容

本申請提供了一種發光芯片的制備方法及顯示裝置，用以解決現有的Micro?LED芯片色轉換層制備難度大，存在對貼精度及光串擾，成本高的問題。

第一方面，本申請提供了一種發光芯片的制備方法，包括：

在生長基板上制備外延層，在所述外延層的一側制備金屬鍵合層；

將所述外延層刻蝕出發光芯片，所述發光芯片與驅動基板通過所述金屬鍵合層建立電氣互聯；

去除所述生長基板，在所述外延層的另一側制備N電極，在所述N電極的表面制備量子點色轉換層。

進一步地，所述在生長基板上制備外延層，在所述外延層的一側制備金屬鍵合層，包括：

在生長基板上依次制備緩沖層、電子傳輸層、發光層和電荷傳輸層；

在所述電荷傳輸層的表面制備金屬鍵合層。

進一步地，在所述外延層的另一側制備N電極，包括：

在所述電子傳輸層的表面制備N電極。

進一步地，在所述N電極的表面制備量子點色轉換層，包括：

利用電噴印方法或噴墨打印方法，在所述N電極的表面制備量子點色轉換層。

進一步地，將所述外延層刻蝕出發光芯片，包括：

利用電感耦合等離子刻蝕方法，在外延層刻蝕出發光芯片。

進一步地，所述N電極的尺寸與所述量子點色轉換層相匹配。

進一步地，所述N電極的厚度為200納米至1000納米，所述量子點色轉換層的厚度為1微米至20微米。

進一步地，所述緩沖層、電子傳輸層、發光層和電荷傳輸層中，各層的厚度為10納米至1000納米。

第二方面，本申請提供了一種顯示裝置，包括上述任一項制備方法得到的包含綠色量子點色轉換層的藍光垂直芯片、包含紅色量子點色轉換層的藍光垂直芯片和未包含色轉換層的藍光垂直芯片。