[發(fā)明專利]電子設備及異物檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111566406.2 | 申請日: | 2021-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN114137617A | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 謝名杰 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市銳爾覓移動通信有限公司 |
| 主分類號: | G01V3/00 | 分類號: | G01V3/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 鄭小娟 |
| 地址: | 518052 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子設備 異物 檢測 方法 | ||
本申請?zhí)峁┝穗娮釉O備及異物檢測方法。電子設備包括第一殼體,第一導電件,第二導電件,處理器。其中,第一殼體具有收容空間,第一殼體具有連通收容空間的第一過孔。第一導電件裝設于第一殼體,第一導電件覆蓋第一過孔,第一導電件具有連通第一過孔的多個第一通孔。第二導電件設于收容空間內(nèi)且與第一導電件間隔設置,第二導電件相較于第一導電件遠離第一過孔,且第二導電件在第一導電件上的正投影的至少部分位于第一導電件內(nèi),以和第一導電件形成電容器。處理器電連接第一導電件與第二導電件,處理器用于檢測電容器的電容參數(shù)的變化,當有異物落在第一導電件或第二導電件時會電容器的電容參數(shù),因此可根據(jù)電容參數(shù)的變化判斷電容器上是否有異物。
技術(shù)領域
本申請屬于電子設備技術(shù)領域,具體涉及電子設備及異物檢測方法。
背景技術(shù)
電子設備的殼體出于各種原因會開設過孔,以實現(xiàn)殼體內(nèi)外氣體的交互。為了防止外界異物進入殼體內(nèi),通常會在殼體上設置遮擋結(jié)構(gòu)。但異物雖然不會進入殼體內(nèi),卻會在遮擋結(jié)構(gòu)上積聚,從而影響氣體的交互。目前電子設備無法檢測遮擋結(jié)構(gòu)上是否有異物。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,本申請第一方面提供了一種電子設備,包括:
第一殼體,具有收容空間,所述第一殼體具有連通所述收容空間的第一過孔;
第一導電件,裝設于所述第一殼體,所述第一導電件覆蓋所述第一過孔,所述第一導電件具有連通所述第一過孔的多個第一通孔;
第二導電件,設于所述收容空間內(nèi)且與所述第一導電件間隔設置,所述第二導電件相較于所述第一導電件遠離所述第一過孔,且所述第二導電件在所述第一導電件上的正投影的至少部分位于所述第一導電件內(nèi),以和所述第一導電件形成電容器;以及
處理器,電連接所述第一導電件與所述第二導電件,所述處理器用于檢測所述電容器的電容參數(shù)的變化,并根據(jù)所述電容參數(shù)的變化判斷所述電容器上是否有異物。
本申請第一方面提供的電子設備,通過在第一殼體上設置第一導電件,在收容空間內(nèi)設置第二導電件,且第一導電件與第二導電件可形成電容器。第一導電件與第二導電件均電連接處理器,當在第一導電件與第二導電件上施加電壓,且電容器處于清潔狀態(tài)時,即沒有異物落在電容器上時,此時在氣體交換的過程中,氣體對第一導電件的作用力較小,第一導電件本身會產(chǎn)生較小的偏移,當?shù)谝粚щ娂茣r會改變第一導電件與第二導電件之間的垂直距離,從而改變電容器的電容參數(shù),即改變電容量的大小。并且當?shù)谝粚щ娂粩嗥茣r,即第一導電件不斷振動時,電容量的變化會產(chǎn)生電流,并引起電流的不斷變化。
當有異物落在第一導電件上時,異物本身具有一定的質(zhì)量會影響第一導電件與第二導電件之間的垂直距離。并且異物會堵住第一導電件上的第一通孔,當氣體交換時,氣體對第一導電件的作用力變大,第一導電件本身會產(chǎn)生更大的振動。換句話說,第一導電件與第二導電件之間垂直距離的改變相較于沒有異物時變化更大,此時電容參數(shù)也會發(fā)生改變,即電容量的變化更大,電流的變化也更大。
另外,當異物穿過第一通孔落在第二導電件上時,或者異物從電子設備其他孔洞進入電子設備內(nèi)并落在第二導電件上時,由于異物的存在會改變第一導電件與第二導電件之間的介質(zhì)環(huán)境,即改變了電容器的介電常數(shù),這樣也會改變電容器的電容參數(shù)。另外,若異物部分貫穿第一通孔,但異物還設于第一導電件上,此時會有部分異物同樣設于第一導電件與第二導電件之間,也會改變電容器的介電常數(shù),從而改變電容器的電容參數(shù)。
因此處理器便可根據(jù)電容器的上述特性通過檢測電容器的電容參數(shù)的變化,并根據(jù)所述電容參數(shù)的變化與預設電容參數(shù)進行比較。當檢測電容參數(shù)與預設電容參數(shù)相同時,則代表此時電容器的狀態(tài)與清潔狀態(tài)相同,即沒有異物落入第一導電件與第二導電件上。當檢測電容參數(shù)與預設電容參數(shù)不同,則可判斷出電容器上有異物,即第一導電件及第二導電件中的至少一個有異物,以得知異物的情況與狀態(tài)。
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