[發明專利]一種射頻前端集成電路的封裝結構以及封裝方法

有效

• 申請號: 202111488795.1
• 申請日: 2021-12-07
• 公開（公告）號: CN114267598B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 陳高鵬;程忍;高佳慧
• 申請（專利權）人: 宜確半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/538;H01L25/18;H01L25/16
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 馮瑞

本發明公開了一種射頻前端集成電路的封裝結構以及封裝方法，包括：提供第一載板，將芯片貼裝在第一載板上，構建第一包封層；在第一包封層上表面進行多次包封?減薄打孔?RDL布線工藝處理，包封層和布線層交替結構；在最后一層布線層上表面貼裝器件進行包封，形成第一封裝體；將第一載板去除，在封裝體上表面貼裝第二載板，在第一封裝體下表面進行RDL布線，形成第二封裝體，去除第二載板，貼裝器件進行封裝，形成最終封裝體。本發明采用載板代替了多層基板，降低了產品的生產成本和加工難度，并進行包封?布線多層疊加封裝，有效的縮短了散熱路徑，并且能夠降低電容和電感的寄生參數，提高了導熱效率，直接連接金屬散熱面，提升最終封裝體的散熱性能。

技術領域

本發明涉及集成電路封裝技術領域，特別是涉及一種射頻前端集成電路的封裝結構以及封裝方法。

背景技術

隨著雷達和通信系統中信號傳輸距離的不斷增加，大功率器件廣泛應用到相關領域電路模塊和系統中。同時，隨著系統小型化、輕質化需求，需要將越來越多的功率放大芯片和元器件集成在一個有限尺寸封裝中，大幅增加了單位面積芯片功率和熱耗，嚴重制約了整體系統的電熱性能。

目前已有的大部分功率放大器芯片熱設計是通過TSV技術將功率放大器芯片與基板實現連接，具體散熱路徑設計如下：功率放大器芯片正面電路產生熱量，通過TSV互連技術傳導至芯片背面金屬層，然后將熱量從背面金屬層傳導至封裝多層基板表面，最后傳導至移動設備的電路板。如此通過較長的多層互連電路和通孔才能將熱量傳導至基板表面，對于多層基板設計，較長的熱量傳導通路會引起電感以及電阻過大，從而導熱效率很差，散熱性能也是很大的挑戰。另一方面采用TSV技術需要昂貴的基板等材料，加工成本較高，加工難度大。

綜上所述可以看出，如何提高散熱性能是目前有待解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種射頻前端集成電路的封裝結構以及封裝方法，解決了封裝導熱效率差，散熱性能低的問題；同時也能降低射頻通路中電容電感等的寄生參數。

為解決上述技術問題，本發明提供第一載板，將芯片背面貼裝在所述第一載板上表面，并構建第一包封層，包括：提供第一載板，將芯片背面貼裝在所述第一載板上表面，并構建第一包封層；在所述第一包封層上表面進行多次包封-減薄打孔-RDL布線工藝處理，形成包封層和布線層交替疊加的多層結構；在最上一層布線層上表面貼裝器件，進行完全包封處理，形成第一封裝體；將所述第一載板去除，將所述第一封裝體上表面貼裝到第二載板，在所述第一封裝體下表面進行RDL布線，形成第二封裝體；將所述第二載板去除，將所述第二封裝體與其他器件進行堆疊封裝，形成最終封裝體。

優選地，所述將所述第一載板去除包括：利用激光的方式將所述第一載板去除。

優選地，所述包封-減薄打孔-RDL布線工藝處理包括；

在所述第一包封層上表面進行RDL布線，形成第一布線層；

利用塑封料對所述第一布線層進行包封，形成第二包封層；

利用激光對所述第二包封層進行打孔，貫穿所述第二包封層的上下表面，形成連接所述第一布線層的導電通孔；

在所述第二包封層上表面進行RDL布線，形成第二布線層，使所述第二布線層連接所述導電通孔。

優選地，所述第一布線層和所述第二布線層的厚度均大于3μm，所述第一布線層和所述第二布線層的材料均為電鍍銅。

優選地，所述提供第一載板，在所述第一載板上構建第一包封層包括：

提供所述第一載板，將芯片背面貼裝在所述第一載板的上表面，形成組件體；

利用塑封料對所述組件體進行包封，形成第一包封層；

對所述第一包封層進行減薄處理，直至暴露出所述組件體的金屬凸起結構。