[發(fā)明專利]一種射頻前端集成電路的封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111488795.1
• 申請日: 2021-12-07
• 公開（公告）號: CN114267598B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳高鵬;程忍;高佳慧
• 申請（專利權(quán)）人: 宜確半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/538;H01L25/18;H01L25/16
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 馮瑞

1.一種射頻前端集成電路的封裝方法，其特征在于，包括：

提供第一載板，將芯片背面貼裝在所述第一載板上表面，并構(gòu)建第一包封層；

在所述第一包封層上表面進(jìn)行多次包封-減薄打孔-RDL布線工藝處理，形成包封層和布線層交替疊加的多層結(jié)構(gòu)；

在最上一層布線層上表面貼裝器件，進(jìn)行完全包封處理，形成第一封裝體；

將所述第一載板去除，將所述第一封裝體上表面貼裝到第二載板，在所述第一封裝體下表面進(jìn)行RDL布線，形成第二封裝體；

將所述第二載板去除，將所述第二封裝體與其他器件進(jìn)行堆疊封裝，形成最終封裝體；

其中，所述包封-減薄打孔-RDL布線工藝處理包括：

在所述第一包封層上表面進(jìn)行RDL布線，形成第一布線層；

利用塑封料對所述第一布線層進(jìn)行包封，形成第二包封層；

利用激光對所述第二包封層進(jìn)行打孔，貫穿所述第二包封層的上下表面，形成連接所述第一布線層的導(dǎo)電通孔；

在所述第二包封層上表面進(jìn)行RDL布線，形成第二布線層，使所述第二布線層連接所述導(dǎo)電通孔。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述將所述第一載板去除包括：利用激光的方式將所述第一載板去除。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第一布線層和所述第二布線層的厚度均大于3μm，所述第一布線層和所述第二布線層的材料均為電鍍銅。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述提供第一載板，在所述第一載板上構(gòu)建第一包封層包括：

提供所述第一載板，將芯片背面貼裝在所述第一載板的上表面，形成組件體；

利用塑封料對所述組件體進(jìn)行包封，形成第一包封層；

對所述第一包封層進(jìn)行減薄處理，直至暴露出所述組件體的金屬凸起結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述對所述第一包封層進(jìn)行減薄處理，直至暴露出所述組件體的金屬凸起結(jié)構(gòu)包括：

利用磨板、激光或等離子蝕刻的方法對所述第一包封層進(jìn)行減薄處理，直至露出所述組件體中的金屬凸起結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述在最上一層布線層上表面貼裝器件，進(jìn)行完全包封處理，形成第一封裝體后還包括：

對所述第一封裝體進(jìn)行激光穿孔，形成貫穿所述第一封裝體上下表面的貫穿孔，利用金屬填充所述貫穿孔。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第一載板和所述第二載板的材料為玻璃或者鐵。

8.一種射頻前端集成電路的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)采用權(quán)利要求1-7中的任一項(xiàng)所述的封裝方法。