[發(fā)明專(zhuān)利]一種封裝系統(tǒng)、制作方法及智能穿戴設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111481982.7
• 申請(qǐng)日: 2021-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114156191A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李成祥;楊林錕;徐健;王偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 北京博雅睿泉專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 柳巖

1.一種封裝系統(tǒng)，其特征在于，包括：

第一電路層和第二電路層，所述第一電路層和所述第二電路層平行設(shè)置，所述第一電路層和所述第二電路層之間設(shè)置有第一塑封層，所述第一塑封層內(nèi)設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱被配置為用于連接所述第一電路層和所述第二電路層，所述第一電路層上與所述第二電路層相背的一側(cè)至少設(shè)置有一個(gè)第一芯片，所述第一塑封層內(nèi)至少設(shè)置有一個(gè)第二芯片，所述第二芯片和所述第二電路層電連接；

所述第一電路層上與所述第二電路層相背的一側(cè)設(shè)置有第二塑封層，所述第一芯片至少包括光學(xué)心率傳感器芯片，所述第二塑封層避讓于所述光學(xué)心率傳感器芯片設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第二電路層朝向所述第一電路層一側(cè)還設(shè)置有轉(zhuǎn)接板，所述第二芯片設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電路層和所述轉(zhuǎn)接板之間通過(guò)所述導(dǎo)電柱電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第一塑封層和所述第一電路層之間設(shè)置有EMI屏蔽層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第二電路層與所述第一電路層相背的一側(cè)設(shè)置有多個(gè)焊球。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電路層為基板，所述第二電路層為RDL層，所述第一芯片和所述第二芯片為ASIC芯片、陀螺儀傳感器芯片、加速度傳感器芯片、生物電阻抗傳感器芯片、皮電反應(yīng)傳感器芯片、溫度傳感器芯片、GPS芯片、NFC芯片、閃存芯片或藍(lán)牙芯片中的任意一種或幾種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述第一塑封層上開(kāi)設(shè)有多個(gè)通孔，多根導(dǎo)電柱分別插入不同的通孔內(nèi)與所述第二電路層連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)電柱為銀柱。

9.一種上述權(quán)利要求1-8任一所述的封裝系統(tǒng)的制作方法，其特征在于，分別制作第一封裝層和第二封裝層，所述第二封裝層內(nèi)包括有所述第一塑封層，在所述第一塑封層上開(kāi)設(shè)有多個(gè)通孔，并在通孔內(nèi)設(shè)置所述導(dǎo)電柱，將所述第一封裝層蓋設(shè)于所述第一塑封層上，所述導(dǎo)電柱將所述第一封裝層和所述第二封裝層電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝系統(tǒng)的制作方法，其特征在于，制作所述第二封裝層時(shí)的具體步驟如下：

將轉(zhuǎn)接板設(shè)置于臨時(shí)載板上，并在轉(zhuǎn)接板上電連接有至少一個(gè)第二芯片，將所述臨時(shí)載板上的所述轉(zhuǎn)接板和所述第二芯片進(jìn)行塑封形成第一塑封層；在所述第一塑封層上垂直于所述臨時(shí)載板開(kāi)設(shè)有多個(gè)通孔，向所述通孔內(nèi)分別灌注液態(tài)銀形成所述導(dǎo)電柱；去除所述臨時(shí)載板并通過(guò)RDL工藝在所述第一塑封層底部形成RDL層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝系統(tǒng)的制作方法，其特征在于，制作所述第一封裝層時(shí)的具體步驟如下：

將多個(gè)所述第一芯片設(shè)置于基板上，其中一個(gè)所述第一芯片為光學(xué)心率傳感器芯片；將除所述光學(xué)心率傳感器之外的所述第一芯片進(jìn)行塑封形成第二塑封層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝系統(tǒng)的制作方法，其特征在于，在所述基板的底面上設(shè)置EMI屏蔽層，將所述第一封裝層固定于所述第二封裝層上遠(yuǎn)離所述RDL層一側(cè)，所述基板與所述RDL層和所述轉(zhuǎn)接板之間通過(guò)所述導(dǎo)電柱連接，在所述RDL層遠(yuǎn)離所述第一塑封層的一側(cè)設(shè)置多個(gè)焊球。

13.一種智能穿戴設(shè)備，其特征在于，所述智能穿戴設(shè)備內(nèi)設(shè)置有上述權(quán)利要求1-8任一所述的封裝系統(tǒng)。