[發(fā)明專利]一種價(jià)簽基站電路和基站

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111469485.5
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN114245485A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 努比亞技術(shù)有限公司
• 主分類號: H04W88/08
• 分類號: H04W88/08
• 代理公司: 深圳協(xié)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44458
• 代理人: 伍永森

1.一種價(jià)簽基站電路，其特征在于，所述電路包括：系統(tǒng)電源VDD_5V、二極管VD0、二極管VD1、MCU電源VCC_MCU、USB Vbus電源、PMOS管VT1、NMOS管Q2以及NMOS管Q3；

其中，所述系統(tǒng)電源VDD_5V連接至所述二極管VD0正極，所述二極管VD0負(fù)極連接至所述MCU電源VCC_MCU；

所述PMOS管VT1源極連接至所述USB Vbus電源，所述PMOS管VT1漏極通過所述二極管VD1連接至所述MCU電源VCC_MCU，所述PMOS管VT1控制極連接至所述NMOS管Q2源極以及通過R1與C1并聯(lián)連接至所述USB Vbus電源；

所述NMOS管Q2漏極連接至地信號，所述NMOS管Q2控制極經(jīng)過RC電流R2、C2后連接至所述USB Vbus電源；

在所述MCU電源VCC_MCU接有下拉電阻R4，用于快速泄放殘留電荷；

所述NMOS管Q3源極連接至MCU芯片的UBoot信號腳，所述NMOS管Q3漏極連接至地信號，所述NMOS管Q3控制極經(jīng)過RC并聯(lián)后連接至所述USB Vbus電源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述系統(tǒng)電源VDD_5V未供電時(shí)，在智能終端插入U(xiǎn)SB線纜后，USB線纜上的所述USB Vbus電源呈現(xiàn)5V電壓，所述USB Vbus電源的5V電壓經(jīng)過C3電容使得所述NMOS管Q3的控制極電壓快速升壓至5V，當(dāng)所述NMOS管Q3的控制極電壓在上升過程中開始導(dǎo)通，當(dāng)開啟電壓達(dá)到開啟閾值時(shí)完全導(dǎo)通，所述UBoot信號腳為低電平信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述UBoot信號腳為低電平信號，所述USB Vbus電源的5V電壓經(jīng)過RC濾波電路R2C2后，使得所述NMOS管Q2的控制極電壓緩慢升壓至5V，所述NMOS管Q2的控制極電壓在上升過程中開始導(dǎo)通，當(dāng)開啟電壓達(dá)到開啟閾值時(shí)完全導(dǎo)通，所述NMOS管Q2源極為低電平。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述NMOS管Q2源極為低電平時(shí)，所述PMOS管Q2控制極為低電平，所述PMOS管Q2呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，所述USB Vbus電源的5V電壓經(jīng)過所述PMOS管VT1后到達(dá)所述MCU電源VCC_MCU，以給所述MCU芯片上電。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，在所述MCU芯片上電過程中，檢測所述UBoot信號腳為低電平，所述MCU芯片進(jìn)入下載模式，當(dāng)所述MCU芯片進(jìn)入下載模式后，所述系統(tǒng)電源VDD_5V并聯(lián)為VCC_IN供電并保持下載模式。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述系統(tǒng)電源VDD_5V已經(jīng)供電時(shí)，所述智能終端插入所述USB線纜后，所述USB線纜上的所述USB Vbus呈現(xiàn)5V電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，所述USB VBus5V電壓經(jīng)過C3電容使得NMOS管Q3的控制極電壓快速升壓至5V，當(dāng)NMOS管Q3的控制極電壓在上升過程中開始導(dǎo)通，當(dāng)開啟電壓達(dá)到開啟閾值時(shí)完全導(dǎo)通，所述UBoot信號腳為低電平信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述UBoot信號腳為低電平信號時(shí)，所述USB VBus 5V電壓經(jīng)過RC濾波電路R2C2后，使得所述NMOS管Q2的控制極電壓緩慢升壓至5V，所述NMOS管Q2的控制極電壓在上升過程中開始導(dǎo)通，當(dāng)開啟電壓達(dá)到開啟閾值時(shí)完全導(dǎo)通，所述NMOS管Q2源極為低電平。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的價(jià)簽基站電路，其特征在于，當(dāng)所述NMOS管Q2源極為低電平時(shí)，所述PMOS管Q2控制極為低電平，所述PMOS管Q2呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，所述USB Vbus電源的5V電壓經(jīng)過所述PMOS管VT1后到達(dá)所述MCU電源VCC_MCU，以給所述MCU芯片供電；其中，所述MCU芯片保持正常工作狀態(tài)，并在上電開機(jī)過程中對所述UBoot信號腳的電平狀態(tài)進(jìn)行檢測。

10.一種基站，其特征在于，所述基站包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的價(jià)簽基站電路。