[發明專利]功率控制方法、裝置、控制電路及電子設備有效
| 申請號: | 202111464438.1 | 申請日: | 2021-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN114141005B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 曾志祥 | 申請(專利權)人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | G08C23/04 | 分類號: | G08C23/04 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 湯明明 |
| 地址: | 523846 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 控制 方法 裝置 控制電路 電子設備 | ||
1.一種電子設備,其特征在于,包括殼體、導光件、紅外發射裝置、光敏元件以及處理器;
所述殼體內部設置有容置空間,所述殼體上設有與所述容置空間導通的導光孔;
所述導光件至少部分位于所述導光孔內;
所述紅外發射裝置、所述處理器設置于所述容置空間中,所述紅外發射裝置發射的紅外光可通過所述導光件傳導至所述殼體外;
所述光敏元件設置在所述導光件上;
所述光敏元件、所述紅外發射裝置均與所述處理器連接;
其中,所述光敏元件為具有光電導效應的電阻,在所述光敏元件檢測到所述紅外光的光強度低于預設值的情況下,所述處理器控制所述紅外發射裝置增大發射功率。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述導光件包括入光面和出光面,所述光敏元件設于所述出光面或所述入光面。
3.根據權利要求2所述的電子設備,其特征在于,所述光敏元件為環狀光敏電阻,所述環狀光敏電阻設于所述出光面或所述入光面的邊緣區域。
4.一種控制電路,其特征在于,應用于如權利要求1至3中任一項所述的電子設備,且所述控制電路包括所述紅外發射裝置、所述光敏元件、所述處理器、功率調整電路、第一保護電阻、模數轉換器和邏輯處理電路;
所述處理器通過所述功率調整電路與所述紅外發射裝置電連接;
所述光敏元件的第一端與所述第一保護電阻的第一端電連接,所述第一保護電阻的第二端與所述電子設備的第一電壓輸出端電連接,所述光敏元件的第二端接地;
所述模數轉換器的第一輸入端與所述光敏元件的第一端電連接,所述模數轉換器的第二輸入端與所述電子設備的第二電壓輸出端電連接,所述模數轉換器的輸出端與所述邏輯處理電路的第一端電連接,所述邏輯處理電路的第二端與所述處理器電連接;
其中,在所述光敏元件檢測到所述紅外發射裝置發射的紅外光的光強度低于預設值的情況下,所述處理器控制所述紅外發射裝置增大發射功率。
5.根據權利要求4所述的控制電路,其特征在于,所述功率調整電路包括第一MOS管,所述第一MOS管的源極與所述紅外發射裝置的第一端電連接,所述第一MOS管的漏極接地,所述第一MOS管的柵極與所述處理器電連接,所述紅外發射裝置的第二端與所述電子設備的第三電壓輸出端電連接;
所述處理器通過輸出脈沖寬度調整信號調整所述第一MOS管的阻值。
6.根據權利要求5所述的控制電路,其特征在于,所述功率調整電路還包括與所述處理器電連接的第一電壓管理單元,所述處理器通過所述第一電壓管理單元調整所述紅外發射裝置的輸出電壓。
7.根據權利要求5所述的控制電路,其特征在于,所述功率調整電路還包括第二MOS管和與所述處理器電連接的第二電壓管理單元,所述第二MOS管的源極與所述第三電壓輸出端電連接,所述第二MOS管的漏極與所述紅外發射裝置的第二端電連接,所述第二MOS管的柵極與所述第二電壓管理單元電連接;
所述處理器通過調整所述第二電壓管理單元的輸出電壓,并通過所述第二電壓管理單元的輸出電壓調整所述第二MOS管的阻值。
8.一種功率控制方法,其特征在于,應用于如權利要求4至7中任一項所述的控制電路,所述控制電路包括光敏元件、紅外發射裝置和功率調整電路,所述方法包括:
基于所述光敏元件檢測所述紅外發射裝置發射的紅外光的光強度;
在所述光強度低于預設值的情況下,通過所述功率調整電路增大所述紅外發射裝置的發射功率。
9.一種功率控制裝置,其特征在于,包括如權利要求4至7中任一項所述的控制電路,所述控制電路包括光敏元件、紅外發射裝置和功率調整電路,所述裝置包括:
檢測模塊,用于基于所述光敏元件檢測所述紅外發射裝置發射的紅外光的光強度;
控制模塊,用于在所述光強度低于預設值的情況下,通過所述功率調整電路增大所述紅外發射裝置的發射功率。
10.一種可讀存儲介質,其特征在于,所述可讀存儲介質上存儲程序或指令,所述程序或指令被處理器執行時實現如權利要求8所述的功率控制方法的步驟。
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