[發明專利]一種雙模高可靠性硅基濾波器及其制作方法

有效

• 申請號: 202111454088.0
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114142193B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 萬晶;梁曉新
• 申請（專利權）人: 昆山鴻永微波科技有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P11/00
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 孫茂義

1.一種雙模高可靠性硅基濾波器，其特征在于，包括：硅腔諧振單元、微擾硅坑、輸入饋線槽和輸出饋線槽，所述硅腔諧振單元包括上下依次設置的第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質層和第二金屬層，所述微擾硅坑設置在高阻硅介質層上并位于一角，所述輸入饋線槽和輸出饋線槽設置在第一金屬層上并分別位于與微擾硅坑位置相對的另一角的兩側，所述微擾硅坑刻蝕在高阻硅介質層表面，且不刻穿，所述硅腔諧振單元的邊緣設置有多個貫穿通孔，所述貫穿通孔分別貫穿第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質層和第二金屬層，所述貫穿通孔內壁表面設置有金屬沉積層。

2.根據權利要求1所述的雙模高可靠性硅基濾波器，其特征在于，還包括第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽，所述輸入饋線槽從第一金屬層的對應邊緣向內側延伸，所述第一缺陷耦合槽設置第一金屬層上并與輸入饋線槽連通，進行待濾波信號的輸入，所述輸出饋線槽從第一金屬層的對應邊緣向內側延伸，所述第二缺陷耦合槽設置第一金屬層上并與輸出饋線槽連通，進行濾波信號的輸出。

3.根據權利要求2所述的雙模高可靠性硅基濾波器，其特征在于，所述輸入饋線槽末端與第一缺陷耦合槽一端垂直連通，所述輸出饋線槽末端與第二缺陷耦合槽一端垂直連通，所述輸入饋線槽、第一缺陷耦合槽、輸出饋線槽和第二缺陷耦合槽深度與第一金屬層厚度相對應，所述輸入饋線槽和輸出饋線槽的數量分別至少為1根。

4.根據權利要求1所述的雙模高可靠性硅基濾波器，其特征在于，所述微擾硅坑采用錐孔形結構。

5.一種權利要求1~4任一所述的雙模高可靠性硅基濾波器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

先將高阻硅介質兩面拋光，形成高阻硅介質層；

在高阻硅介質層正面一角刻蝕所需尺寸的微擾硅坑；

在高阻硅介質層上方形成厚膜層；

在厚膜層上面濺射電鍍得到第一金屬層，并在第一金屬層上得到輸入饋線槽、輸出饋線槽、第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽；在高阻硅介質層反面電鍍得到第二金屬層；

貫穿刻蝕第一金屬層、厚膜層、高阻硅介質層和第二金屬層的邊緣，形成貫穿通孔；

在貫穿通孔的內壁四周濺射金屬沉積層。