[發(fā)明專利]一種雙結(jié)雙面PERC電池及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111438169.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114335225A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜歡;吳兢;薛超;糜宇亮;趙興國 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇輝倫太陽能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0687 | 分類號(hào): | H01L31/0687;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210061 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙面 perc 電池 及其 制作方法 | ||
1.一種雙結(jié)雙面PERC電池,其特征在于,包括:
P型硅片基底,所述P型硅片基底兩側(cè)設(shè)有通過高溫磷擴(kuò)散形成的N型層;所述兩個(gè)N型層其中之一遠(yuǎn)離P型硅片基底的一面設(shè)有通過離子注入硼擴(kuò)散形成的P型層。
2.一種雙結(jié)雙面PERC電池的制作方法,其特征在于,包括:
步驟一、在P型硅片上進(jìn)行高溫磷擴(kuò)散,此時(shí)硅片結(jié)構(gòu)為N-P-N;
步驟二、在N型層的單面進(jìn)行去PSG處理;
步驟三、去PSG的一面使用離子注入進(jìn)行大劑量硼擴(kuò)散,此時(shí)硅片結(jié)構(gòu)為N-P-N-P;
步驟四、對(duì)硅片N-P-N-P型結(jié)構(gòu)的硅片雙面進(jìn)行去PSG/BSG處理;
步驟五、對(duì)去PSG/BSG處理后的雙面進(jìn)行鍍膜處理;
步驟六、對(duì)鍍膜后的雙面進(jìn)行印刷并燒結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙結(jié)雙面PERC電池的制作方法,其特征在于:所述步驟三中,離子注入的入射能量范圍為60~180KEV,擴(kuò)散方阻為70~140Ω/sq。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙結(jié)雙面PERC電池的制作方法,其特征在于:所述步驟一中,磷擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度在850~950℃,推結(jié)時(shí)間為60~90分鐘,擴(kuò)散方阻為90~150Ω/sq。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙結(jié)雙面PERC電池的制作方法,其特征在于:所述步驟五中,雙面鍍膜為富氫含氮鈍化膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙結(jié)雙面PERC電池的制作方法,其特征在于:所述步驟六中,雙面印刷中N型面的主柵線和副柵線均使用銀漿,P型面的主柵線為銀漿,副柵線為鋁漿。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





