[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111436732.1
• 申請(qǐng)日: 2021-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116190406A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊自陽(yáng);譚文健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 代理公司: 廣東君龍律師事務(wù)所 44470
• 代理人: 丁建春

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

多個(gè)背板電極，所述襯底的第一表面一側(cè)彼此間隔設(shè)置；

形變層，

設(shè)置于所述襯底和所述多個(gè)背板電極之間；其中，所述形變層包括至少一個(gè)形變單元，所述至少一個(gè)形變單元可在層疊方向上發(fā)生形變，所述至少一個(gè)形變單元在所述第一表面的正投影至少部分覆蓋所述背板電極在所述第一表面的正投影。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述形變層包括彼此間隔設(shè)置的多個(gè)所述形變單元，相鄰的兩個(gè)所述背板電極構(gòu)成一個(gè)電極組，用于與同一發(fā)光芯片電連接；其中，一個(gè)所述形變單元在所述第一表面的正投影覆蓋所述電極組在所述第一表面的正投影，所述形變單元可在層疊方向上發(fā)生形變以調(diào)節(jié)所述背板電極在所述層疊方向上的高度或傾斜度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述形變單元在所述第一表面的正投影覆蓋一個(gè)對(duì)應(yīng)的所述電極組在所述第一表面的正投影。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述形變單元包括導(dǎo)電形變單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

形變控制電路層，設(shè)置于所述形變層朝向所述襯底的一側(cè)，所述形變控制電路層包括多個(gè)形變控制單元，且一個(gè)所述形變控制單元與一個(gè)所述形變單元電連接，調(diào)節(jié)所述形變控制電路層的電壓大小控制所述導(dǎo)電形變單元發(fā)生形變；

優(yōu)選地，在沿所述襯底至所述背板電極的方向上，每個(gè)所述導(dǎo)電形變單元的厚度相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述形變單元包括光致形變單元或熱致形變單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

背板控制電路層，設(shè)置于所述背板電極朝向所述襯底的一側(cè)所述形變控制電路層發(fā)生形變并通過(guò)所述背板控制電路層調(diào)節(jié)所述電極組的高度或傾斜度。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括：

權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的陣列基板；

多個(gè)發(fā)光芯片，與所述陣列基板中的背板電極邦定連接；其中，所述發(fā)光芯片包括背離所述背板電極一側(cè)的發(fā)光面，且在顯示時(shí)，所有所述發(fā)光芯片的所述發(fā)光面均處于同一水平面內(nèi)。

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供權(quán)利要求2-7中任一項(xiàng)所述的陣列基板；

將多個(gè)發(fā)光芯片與所述陣列基板中的背板電極邦定連接；

使多個(gè)所述發(fā)光芯片點(diǎn)亮，并沿所述陣列基板至所述發(fā)光芯片的方向上，獲取每個(gè)所述發(fā)光芯片的發(fā)光面與基準(zhǔn)面之間的高度差異值；

根據(jù)所述高度差異值控制所述形變單元的形變量以調(diào)節(jié)所述背板電極的高度，從而使所有所述發(fā)光芯片的所述發(fā)光面達(dá)到所述基準(zhǔn)面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，

所述形變單元包括導(dǎo)電形變單元，所述陣列基板包括形變控制電路層，所述形變控制電路層包括多個(gè)形變控制單元，且一個(gè)所述形變控制單元與一個(gè)所述導(dǎo)電形變單元電連接，所述根據(jù)所述高度差異值控制與所述發(fā)光芯片相對(duì)應(yīng)的所述形變單元的形變量的步驟包括：將所述形變控制電路層與外接電路電連接；根據(jù)所述高度差異值控制所述外接電路的電壓值，以控制與所述發(fā)光芯片相對(duì)應(yīng)的所述形變單元的形變量；或者，

所述形變單元包括光致形變單元或熱致形變單元，所述根據(jù)所述高度差異值控制與所述發(fā)光芯片相對(duì)應(yīng)的所述形變單元的形變量的步驟包括：在所述襯底背離所述發(fā)光芯片一側(cè)設(shè)置激光源；根據(jù)所述高度差異值控制所述激光源的照射時(shí)間和/或功率，以控制與所述發(fā)光芯片相對(duì)應(yīng)的所述形變單元的形變量。