[發(fā)明專利]一種自動化晶圓載臺及其使用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111430315.6
• 申請日: 2021-11-29
• 公開（公告）號: CN114141685A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設計）人: 崔劍鋒;羅帥;李忠乾;張洪華;趙剛;王剛
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州科韻激光科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 陳曉磊

本申請公開了一種自動化晶圓載臺及其使用方法，其中自動化晶圓載臺包括：吸盤，吸盤中部開設有頂升滑孔；基座，基座上部安裝有所述吸盤，基座和所述吸盤接觸面中部開設有凹槽形成安裝位；頂升機構(gòu)，頂升機構(gòu)設置于所述安裝位中，所述頂升機構(gòu)被配置為對硅晶圓片進行頂升，所述頂升機構(gòu)包括安裝板、固定板以及頂升軸，其中，安裝板用于將頂升機構(gòu)安裝于所述安裝位，固定板通過氣缸的伸縮桿連接于安裝板上方，頂升軸設于所述固定板上端面，所述頂升軸滑動于所述頂升滑孔在所述吸盤的工作面升降設置。本申請解決硅晶圓片為翹曲較大的形態(tài)時，普通真空吸盤吸取不牢靠的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導體設備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種自動化晶圓載臺。

背景技術(shù)

硅晶圓片的夾持與輸送是半導體生產(chǎn)工藝中的一個重要環(huán)節(jié)，較大程度地影響著硅晶圓片的質(zhì)量和可靠性。

現(xiàn)有技術(shù)中，主要采用接觸式真空吸盤技術(shù)進行硅晶圓片的夾持與輸送。即通過真空吸附將硅晶圓片下表面緊貼，然而與吸盤的直接接觸易導致硅片受力不均，容易造成硅片翹曲、變形等問題，另外，存在漏氣吸不緊，載臺高速運動時還有飛片(產(chǎn)品飛出載臺)安全隱患。有些產(chǎn)品激光加工時容易產(chǎn)生高溫或產(chǎn)品微量變形，在高溫較高產(chǎn)品易變形的情況下，吸盤高溫下使用容易老化，對具有納米級精度的芯片制造過程而言，接觸式真空吸附技術(shù)更容易導致廢品率的進一步增加。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本申請的主要目的在于提供一種自動化晶圓載臺及其使用方法，提供一種吸附效果穩(wěn)定、適用范圍廣泛、具有散熱功能以及產(chǎn)品升降功能的載臺。

為了達到上述目的，本申請?zhí)峁┝艘环N自動化晶圓載臺，包括：

吸盤，吸盤中部開設有頂升滑孔；

基座，基座上部安裝有所述吸盤，基座和所述吸盤接觸面中部開設有凹槽形成安裝位；

頂升機構(gòu)，頂升機構(gòu)設置于所述安裝位中，所述頂升機構(gòu)被配置為對硅晶圓片進行頂升，所述頂升機構(gòu)包括安裝板、固定板以及頂升軸，其中，

安裝板用于將頂升機構(gòu)安裝于所述安裝位，

固定板通過氣缸的伸縮桿連接于安裝板上方，

頂升軸設于所述固定板上端面，所述頂升軸升降于所述吸盤的工作面，所述頂升滑孔被配置為頂升軸進行升降時的通道。

優(yōu)選地，所述頂升機構(gòu)還包括：

導向孔，導向孔開設于所述固定板；

導向軸，所述導向軸設置于安裝板，導向軸與導向孔同軸設置，導向孔被配置為導向軸的限位軌道。

優(yōu)選地，所述安裝位包括階梯孔，所述頂升機構(gòu)通過安裝板連接于所述階梯孔。

優(yōu)選地，所述吸盤包括：

噴氣口，開設于所述吸盤的工作面；

氣管，氣管連接于外部氣源。

優(yōu)選地，所述噴氣口設置為環(huán)形，用于在所述硅晶圓片底部均勻噴射高壓空氣。

優(yōu)選地，所述硅晶圓片和所述吸盤之間通過高壓空氣產(chǎn)生氣旋從而形成負壓區(qū)域，硅晶圓片通過氣面懸空吸附于所述吸盤。

優(yōu)選地，載臺還包括：

驅(qū)動機，所述驅(qū)動機通過連接部連接所述基座；

連接部，用于連接驅(qū)動機和所述基座，連接部為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述連接部被所述驅(qū)動機帶動同軸轉(zhuǎn)動。

優(yōu)選地，載臺還包括：

傳感組件，設置于所述自動化晶圓載臺側(cè)部，所述傳感組件包括感應片、光電開關(guān)，感應片沿連接部徑向方向固定于連接部外側(cè)，