[發明專利]一種鈣鈦礦CsPbCl3 有效
| 申請號： | 202111385655.1 | 申請日： | 2021-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN114293248B | 公開（公告）日： | 2023-03-17 |
| 發明（設計）人： | 郭鵬飛;劉達 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | C30B25/14 | 分類號： | C30B25/14;C30B25/16;C30B29/62;C30B29/12;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原晉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 楊斌華 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦 cspbcl base sub | ||
1.一種鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線的制備方法，所述CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線中CsPbCl3納米線與CsPbI3納米線之間的界面為陡峭界面；
所述CsPbCl3納米線為單晶結構納米線，光致發光波長為420nm；所述CsPbI3納米線為單晶結構納米線，光致發光波長為700nm；
所述CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線長度為10-30微米，異質結處直徑300-700納米；
其特征在于：所述制備方法，包括如下步驟：
第一步，分別配取PbCl2/CsCl和PbI2/CsI，并將配好的PbCl2/CsCl和PbI2/CsI分別裝入不同的玻璃舟內，將裝有PbCl2/CsCl的玻璃舟標為1號舟，將裝有PbI2/CsI的玻璃舟標為2號舟；
第二步，取錫粉，溶于酒精中，配制錫溶液，將配制好的錫溶液滴入Si/SiO2襯底之上，放入鼓風干燥箱中揮發酒精，形成帶有錫顆粒的Si/SiO2襯底；
第三步，將1號舟推至可控雙溫區管式爐的左溫區加熱爐的中心位置，將2號舟推至于進氣口與1號舟之間，位于管式爐加熱區之外；將滴有錫顆粒的Si/SiO2襯底放置在右溫區前端；
第四步，將管式爐抽真空，通入載氣后，右溫區在20min內先升溫至580℃，之后左溫區在之后20min升溫至610℃，維持此溫度40min后，左溫區在20min內降溫至580℃，然后通過推進裝置將2號舟迅速推進加熱區中間位置，恒溫20-40min，得到CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線；
抽真空后，爐內氣壓為1.5-4Torr，所述載氣為氮氣和氫氣，其中用于生長CsPbCl3的氮氣的流速為60sccm，用于生長CsPbI3的氮氣的流速為40sccm，氫氣的流速為35sccm。
2.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線的制備方法，其特征在于：第一步中所述PbCl2和CsCl的摩爾比為2:1，PbI2和CsI的摩爾比為2:1。
3.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線的制備方法，其特征在于：所述PbCl2、CsCl、PbI2和CsI的純度均≧99.99%。
4.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線的制備方法，其特征在于：第二步中所述錫溶液的濃度為0.2mg/mL。
5.根據權利要求1所述的一種鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質結納米線的制備方法，其特征在于：第四步中所述升溫速率為20-25℃/min，降溫速率為2-3℃/min。
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