[發明專利]隔離變壓器及其制造方法在審
| 申請號: | 202111353334.3 | 申請日: | 2021-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN116137201A | 公開(公告)日: | 2023-05-19 |
| 發明(設計)人: | 王俊凱;彭譽耀;吳健銘 | 申請(專利權)人: | 致茂電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01F27/34 | 分類號: | H01F27/34;H01F27/30;H01F41/06 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 215011 江蘇省蘇州市蘇州高*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 隔離變壓器 及其 制造 方法 | ||
本揭示提供一種隔離變壓器及其制造方法。該隔離變壓器包括一導磁元件、一一次側繞組以及一二次側繞組。該導磁元件包括一第一磁柱以及一第二磁柱。該一次側繞組用以纏繞于該第一磁柱上。該二次側繞組用以纏繞于該第二磁柱上,其中,當該一次側繞組和該二次側繞組分別纏繞于該第一磁柱和該第二磁柱上時,一等效電容值形成于該一次側繞組與該二次側繞組之間,且該一次側繞組與該二次側繞組是根據該導磁元件設計,以最小化該等效電容值。本揭示的隔離變壓器及其制造方法通過最小化隔離變壓器的等效電容值來有效隔離低頻及高頻的共模雜訊,從而減少共模雜訊對于系統的影響。
技術領域
本揭示內容是有關于一種隔離變壓器及其制造方法,特別是指一種可有效隔離高頻雜訊的隔離變壓器及其制造方法。
背景技術
于已知技術中,變壓器常常被設置于多個裝置與電源耦接所形成的封閉路徑上,以減少雜訊(例如,共模雜訊(common?mode?noise))對于多個裝置的影響。然而,市售變壓器的阻抗因頻率而有所變化,其特性為低頻時阻抗高且高頻時阻抗低。實務上,常常僅能阻隔低頻的雜訊,而無法有效地阻隔高頻的雜訊。
發明內容
本揭示內容的一態樣為一隔離變壓器。該隔離變壓器包括一導磁元件、一一次側繞組以及一二次側繞組。該導磁元件包括一第一磁柱以及一第二磁柱。該一次側繞組用以纏繞于該第一磁柱上。該二次側繞組用以纏繞于該第二磁柱上,其中,當該一次側繞組和該二次側繞組分別纏繞于該第一磁柱和該第二磁柱上時,一等效電容值形成于該一次側繞組與該二次側繞組之間,且該一次側繞組與該二次側繞組是根據該導磁元件設計,以最小化該等效電容值。
于一些實施例中,該等效電容值等效于該一次側繞組與該導磁元件之間的一一次側電容、該二次側繞組與該導磁元件之間的一二次側電容以及該一次側繞組與該二次側繞組之間的一繞組間電容的連接。
于一些實施例中,該一次側繞組經設計以和該第一磁柱相隔一第一間隔距離,該二次側繞組經設計以和該第二磁柱相隔一第二間隔距離,該一次側繞組與該二次側繞組經設計以和彼此相隔一第三間隔距離,該一次側電容的電容值關聯于該第一間隔距離,該二次側電容的電容值關聯于該第二間隔距離,該繞組間電容的電容值關聯于該第三間隔距離。
于一些實施例中,該第一磁柱與該第二磁柱相隔一總間隔距離,該總間隔距離大于該第一間隔距離、該第二間隔距離與該第三間隔距離之和。
于一些實施例中,該一次側繞組經設計以具有一第一匝數,該二次側繞組經設計以具有一第二匝數,該一次側電容的電容值關聯于該第一匝數,該二次側電容的電容值關聯于該第二匝數,該繞組間電容的電容值關聯于該第一匝數或該第二匝數。
本揭示內容的另一態樣為一隔離變壓器的制造方法。該制造方法包括:根據一導磁元件設計一一次側繞組以及一二次側繞組,以最小化一隔離變壓器的一等效電容值;以及將該一次側繞組和該二次側繞組分別纏繞于該導磁元件的一第一磁柱和一第二磁柱上,使該等效電容值形成于該一次側繞組與該二次側繞組之間。
于一些實施例中,設計該一次側繞組以及該二次側繞組的步驟包含:決定該一次側繞組和該第一磁柱之間的一第一間隔距離;決定該二次側繞組和該第二磁柱之間的一第二間隔距離;決定該一次側繞組與該二次側繞組之間的一第三間隔距離;其中,該一次側電容的電容值關聯于該第一間隔距離,該二次側電容的電容值關聯于該第二間隔距離,該繞組間電容的電容值關聯于該第三間隔距離。
于一些實施例中,設計該一次側繞組以及該二次側繞組的步驟包含:決定該一次側繞組的一第一匝數;以及決定該二次側繞組的一第二匝數;其中,該一次側電容的電容值關聯于該第一匝數,該二次側電容的電容值關聯于該第二匝數,該繞組間電容的電容值關聯于該第一匝數或該第二匝數。
綜上,本揭示的隔離變壓器及其制造方法通過最小化隔離變壓器的等效電容值來有效隔離低頻及高頻的共模雜訊,從而減少共模雜訊對于系統的影響。
附圖說明
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