[發明專利]預測瞬態電壓抑制二極管對低噪聲放大器性能影響的方法在審
| 申請號： | 202111350627.6 | 申請日： | 2021-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN114091382A | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發明（設計）人： | 裴亞康;顏偉;周孟夏;馬浩;趙陽;楊建 | 申請（專利權）人： | 南京師范大學 |
| 主分類號： | G06F30/33 | 分類號： | G06F30/33;G06F30/3323;G06F30/36;G01R31/00 |
| 代理公司： | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 薛雨妍 |
| 地址： | 210023 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 預測 瞬態 電壓 抑制 二極管 低噪聲放大器 性能 影響 方法 | ||
1.預測瞬態電壓抑制二極管對低噪聲放大器性能影響的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1：提出TVS的電路拓撲；
步驟2：利用VNA提取TVS阻抗，提取TVS阻抗的實部和虛部；
步驟3：利用GA算法處理TVS的阻抗數據；用以求解其等效電路中的相關RCL參數，以獲得上述參數的最優解；
步驟4：建立TVS模型；
步驟5：預測TVS對LNA性能的影響。
2.根據權利要求1所述的預測瞬態電壓抑制二極管對低噪聲放大器性能影響的方法，其特征在于：所述步驟1中提出的TVS的電路拓撲：
Ls為串聯電感，Rs為串聯電阻，CS為串聯電容，Rp為并聯電阻，Cp為TVS的并聯電容；RS和LS分別表示TVS的器件封裝參數CS、Rp和Cp表示TVS自身的寄生參數；D1是理想的只有反向擊穿電壓的二極管；IESD顯示ESD發生時的電流流動路徑；當ESD不發生時，在TVS模型中D1可以忽略；
TVS的阻抗可以表示為
S＝jω。
3.根據權利要求1所述的預測瞬態電壓抑制二極管對低噪聲放大器性能影響的方法，其特征在于：其中所述步驟3：GA算法的實現步驟：
步驟31、確定實際問題參數集；對參數進行編碼；以實數編碼，構造線性變換；
步驟32、初始化群體；
步驟33、適應度評價群體；
步驟34、選擇操作；
步驟35、交叉操作；
步驟36、變異操作；
步驟37、判別收斂。
4.根據權利要求3所述的預測瞬態電壓抑制二極管對低噪聲放大器性能影響的方法，其特征在于：為確定其RLC等效參數，阻抗幅值Z可以表示為：
式中，f為自變量，Z為因變量，R、L和C為待定參數，φ為待定參數的非線性函數。將GA算法應用于TVS阻抗RCL參數提取，可將作為初始函數進行優化，N個不同頻率的Z的測量數據序列作為一個采樣容量。優化準則函數可由系統模型殘差的最小平方和建立，可表示為：
其中為測量的阻抗幅值，是根據噪聲源阻抗等效電路的阻抗幅值計算值；當變量Q達到極小值時，對應的RLC參數即為最優參數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京師范大學，未經南京師范大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111350627.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
