[發明專利]一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器與制備方法在審
| 申請號: | 202111340394.1 | 申請日: | 2021-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN114038999A | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發明(設計)人: | 李新化;喬旭冕;曹子暢;韓澤鑫 | 申請(專利權)人: | 安徽建筑大學 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/00 |
| 代理公司: | 合肥匯融專利代理有限公司 34141 | 代理人: | 趙宗海 |
| 地址: | 230601 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 探測 波段 可調 鈣鈦礦 窄帶 光電 探測器 制備 方法 | ||
1.一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器,包括ITO玻璃(1),其特征在于,所述ITO玻璃(1)設為襯底并在ITO玻璃(1)的上方依次設置有空穴傳輸層(2)、鈣鈦礦光吸收層(3)、電子傳輸層(4)和多孔金屬層(5);
所述多孔金屬層(5)中設置有若干個孔,且孔與孔之間的排列設置為有序結構;
所述多孔金屬層(5)的材質為鋁、鈦、銅或金中的任意一種,且多孔金屬層(5)設有一層金屬或多層金屬堆垛而成。
2.根據權利要求1所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器,其特征在于,所述多孔金屬層(5)中的孔設置為圓孔或方孔,且多孔金屬層(5)中的孔與孔之間的排列可為有序六角狀或四方狀結構。
3.根據權利要求1所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器,其特征在于,所述空穴傳輸層(2)可為聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)或聚乙烯基咔唑(PVK),且空穴傳輸層(2)采用懸涂法或熱蒸鍍法制備。
4.根據權利要求1所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器,其特征在于,所述電子傳輸層(4)可為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,TPBi),1.2nm的氟化鋰(LiF)材料的一種或者多種。
5.一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:對ITO玻璃(1)進行清洗、干燥和氧等離子體處理;
步驟2:采用懸涂法或熱蒸鍍法在ITO玻璃(1)上制備空穴傳輸層(2),控制厚度為2-25nm之間;
步驟3:采用一步法或兩步法制備有機無機雜化鈣鈦礦結構光活性層,活性層可為甲胺鉛碘或甲氨鉛溴;
步驟4:在鈣鈦礦光活性層上熱蒸鍍鈣鈦礦電子傳輸層(4);
步驟5:采用模板技術在電子傳輸層(4)上制備有序金屬多孔結構;
步驟6:在頂部金屬電極和底部ITO玻璃(1)兩端制備引出電極,形成光探測器件;
其中,步驟5所述有序多孔金屬層(5)中的孔分布為六角狀或四方狀,孔徑為20nm-500nm,孔的周期在200nm-5000nm。
6.根據權利要求5所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器的制備方法,其特征在于,所述步驟1包括:
將ITO玻璃依次浸泡在丙酮、酒精和水中,每種溶劑均采用超聲清洗十五分鐘;
清洗干凈后用氮氣吹干,并用氧等離子體轟擊二十分鐘。
7.根據權利要求5所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器的制備方法,其特征在于,所述步驟2包括:
采用懸涂法,將空穴傳輸層(2)溶于氯苯中,濃度為6mg ml-1,旋涂速度為1500rpm,旋涂時間60秒,在120℃的加熱臺上退火20分鐘;
采用熱蒸鍍法,在將聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)或聚乙烯基咔唑(PVK)有機原材料放置在熱蒸發真空腔室的熱蒸發源爐中,將源爐加熱至70℃,時間5分鐘,控制厚度為2-25nm之間。
8.根據權利要求5所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟3所述甲胺鉛碘或甲氨鉛溴的制備方法具體為:
將等摩爾質量的MAI(MABr)和PbI2(PbBr2)溶于DMF(N,N-二甲基甲酰胺,99.8%無水級別)DMSO(二甲基亞砜,99.8%無水級別)混合液(VDMF:VDMSO=9:1),獲得0.3M(0.3mol L-1)MAPbI3,MAPbBr3的前驅液,按摩爾比1:1比例混合兩者獲得甲胺鉛碘和甲氨鉛溴。
9.根據權利要求5所述的一種探測波段可調鈣鈦礦窄帶光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟4所述電子傳輸層(4)的制備方法具體為:
采用熱蒸鍍法,將1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,TPBi)有機原材料放置在熱蒸發真空腔室的熱蒸發源爐中,將源爐加熱至70℃,時間5分鐘,控制厚度為2-25nm之間;
采用熱蒸鍍法,將氟化鋰(LiF)材料放置在熱蒸發真空腔室的熱蒸發源爐中,將源爐加熱至200-300℃,時間5分鐘,控制厚度為小于5nm。
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