[發明專利]高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器

在審

• 申請號: 202111339730.0
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN113939165A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 劉弘耀;毛賽君;丁育杰
• 申請（專利權）人: 忱芯電子（蘇州）有限公司
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20;H05K1/18;H01L23/367;H02M1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，包括位于PCB板（10）上的偶數組單管組（11），所述單管組（11）陣列設置，每組所述單管組（11）由多個單管（1）并聯而成。

2.根據權利要求1所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，逆變器的DC母線的薄膜電容（3）、陶瓷電容（4）以及貼片電阻（5）位于相鄰列單管組（11）之間。

3.根據權利要求2所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，所述薄膜電容（3）與所述陶瓷電容（4）分別位于所述PCB板（10）兩面同一區域，且相對設置，所述貼片電阻（5）位于所述陶瓷電容（4）同一面且位于陶瓷電容（4）兩側。

4.根據權利要求3所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，所述薄膜電容（3）與兩側所述單管組（11）之間的距離相等。

5.根據權利要求3所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，逆變器的驅動電源變壓器（6）位于所述陶瓷電容（4）同側。

6.根據權利要求5所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，所述驅動電源變壓器（6）為平面變壓器。

7.根據權利要求1-6中任一所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，相鄰列所述單管組（11）內的單管（1）以錯開一個單管（1）的方式并排設置。

8.根據權利要求1-6中任一所述的高頻高功率密度扁平化SiC MOSFET逆變器，其特征在于，每個所述單管（1）對應設置有一個散熱器（2）。