[發明專利]可變比近場無線裝置在審
| 申請號: | 202111326352.2 | 申請日: | 2021-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN114466340A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 莉斯貝思·戈麥;安東尼·凱斯拉斯 | 申請(專利權)人: | 恩智浦有限公司 |
| 主分類號: | H04W4/80 | 分類號: | H04W4/80;H04W88/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 荷蘭埃因霍溫高科*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可變 近場 無線 裝置 | ||
一個例子公開了一種近場無線裝置,包括:控制器,所述控制器被配置成耦合到近場天線;其中所述近場天線包括:近場電性天線,所述近場電性天線被配置成發射和/或接收近場電性(E)信號;以及近場磁性天線,所述近場磁性天線被配置成發射和/或接收近場磁性(H)信號;電導率監測器,所述電導率監測器被配置成確定接近所述近場裝置的介質的電導率;其中所述控制器被配置成基于所述介質的所述電導率而對由所述近場電性(E)天線和所述近場磁性(H)天線生成的和/或從所述近場電性(E)天線和所述近場磁性(H)天線接收到的場的E/H比進行調制。
技術領域
本說明書涉及用于近場無線通信的系統、方法、設備、裝置、制品和指令。
背景技術
本文中論述的是用戶身體上的一個或多個近場裝置或導電表面的主體(即,體上裝置)與其它導電表面和/或其它無線裝置(即,體上或離體裝置)之間的近場交互,所述近場交互基于以下各項中的任一項:近場電磁感應(NFEMI),其中發射器和接收器通過磁(H)場和電(E)場耦合;近場電感應(NFEI),其中發射器和接收器通過電(E)場耦合;以及近場磁感應(NFMI/NFC),其中發射器和接收器通過磁(H)場耦合。盡管RF無線通信是通過穿過自由空間傳播RF平面波來實現的,但NFEMI、NFEI、NFMI和NFC使用非傳播的準靜態E場和/或H場信號來進行通信。
發明內容
根據例子實施例,一種近場無線裝置包括:控制器,所述控制器被配置成耦合到近場天線;其中所述近場天線包括,近場電性天線,所述近場電性天線被配置成發射和/或接收近場電性(E)信號;以及近場磁性天線,所述近場磁性天線被配置成發射和/或接收近場磁性(H)信號;電導率監測器,所述電導率監測器被配置成確定接近所述近場裝置的介質的電導率;其中所述控制器被配置成基于所述介質的所述電導率而對由所述近場電性(E)天線和所述近場磁性(H)天線生成的和/或從所述近場電性(E)天線和所述近場磁性(H)天線接收到的場的E/H比進行調制。
在另一例子實施例中,如果所述電導率低于閾值,則所述控制器被配置成維持或增大所述E/H比。
在另一例子實施例中,如果所述電導率高于所述閾值,則所述控制器被配置成減小所述E/H比。
在另一例子實施例中,所述E/H比被計算為:電場(E場)能量除以磁場(H場)能量。
在另一例子實施例中,所述E/H比被計算為:電場(E場)幅度除以磁場(H場)幅度。
在另一例子實施例中,所述E/H比被計算為:電場(E場)相位減去磁場(H場)相位。
在另一例子實施例中,另外包括被配置成設置所述近場無線裝置的諧振頻率和/或帶寬的調諧值集合;其中所述電導率監測器被配置成基于所述調諧值集合而確定所述介質的所述電導率;并且其中所述控制器被配置成基于所述調諧值集合而對所述E/H比進行調制。
在另一例子實施例中,所述調諧值集合包括電容;并且如果所述介質的所述電導率增大,則所述控制器被配置成減小所述電容。
在另一例子實施例中,所述調諧值集合包括電容;并且如果所述介質的所述電導率減小,則所述控制器被配置成增大所述電容。
在另一例子實施例中,所述電導率監測器被配置成根據電耦合到所述介質的電極集合來確定所述電導率。
在另一例子實施例中,所述電導率監測器被配置成根據從遠程電導率傳感器接收到的數據通信來確定所述電導率。
在另一例子實施例中,所述電導率監測器被配置成根據預編程介質電導率集合來確定所述電導率。
在另一例子實施例中,此類預編程介質電導率是基于醫療和/或運動協議的。
在另一例子實施例中,所述電導率監測器被配置成根據來自多個電導率傳感器的電導率讀數的聚合集合來確定所述電導率。
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