[發明專利]具有背界面電場的銅鋅錫硫硒太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號： | 202111284564.9 | 申請日： | 2021-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN114005903A | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發明（設計）人： | 段碧雯;孟慶波;李冬梅;石將建;羅艷紅;吳會覺 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/072 | 分類號： | H01L31/072;H01L31/0445;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 關艷芬 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 界面 電場 銅鋅錫硫硒 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有背界面電場的銅鋅錫硫硒太陽能電池，包括從下至上順序堆疊的背電極、CZTSxSe1-x(0≤x≤1)吸收層、緩沖層、窗口層和頂柵電極；其特征在于
所述太陽能電池還包括從下至上順序設置在所述背電極和所述CZTSxSe1-x吸收層之間的高功函數層和隔離層，所述高功函數層配置為誘導所述CZTSxSe1-x吸收層的能帶向上彎曲以形成背界面電場，所述隔離層配置為抑制所述高功函數層的材料在高溫下與其他物質發生化學反應。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述高功函數層的材料包括高功函數的氧化物和貴金屬中的一種或多種。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述高功函數的氧化物包括氧化鉬、氧化鎳和氧化銅；
所述貴金屬包括金、鉑和鈀。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述隔離層的材料包括氧化鋁、氧化硅和碳材料中的一種或多種。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，所述碳材料包括單壁碳納米管、多壁碳納米管和石墨。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述高功函數層的厚度為50-200nm；和/或
所述隔離層的厚度為10-50nm。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
所述背電極的材料包括鉬；
所述緩沖層的材料包括硫化鎘、硫化鋅鎘(Zn,Cd)S和氧化鋅鎂(Zn,Mg)O中的一種或多種；
所述窗口層為氧化鋅/氧化銦錫雙層結構或摻鋁氧化鋅AZO單層結構；
所述頂柵電極為鎳/鋁雙層電極、鋁電極或銀電極。
8.一種權利要求1-7中任一項所述的具有背界面電場的銅鋅錫硫硒太陽能電池的制備方法，包括從下至上順序制備所述太陽能電池的背電極、高功函數層、隔離層、CZTSxSe1-x吸收層、緩沖層、窗口層和頂柵電極，其特征在于，所述高功函數層和所述隔離層通過原位制備。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，
所述高功函數層通過真空濺射法、真空蒸鍍法、溶液法或電化學沉積法制備；和/或
所述隔離層通過真空濺射法、真空蒸鍍法、溶液法或電化學沉積法制備。
10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征性在于，
所述CZTSxSe1-x吸收層通過溶液法、真空法、電化學沉積法或納晶法制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院物理研究所，未經中國科學院物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111284564.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
