[發(fā)明專利]可植入式刺激組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111283260.0
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN114028710A
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設計）人: N·C·帕西
• 申請（專利權）人: 科利耳有限公司
• 主分類號: A61N1/05
• 分類號: A61N1/05
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃海鳴

1.一種電極陣列，包括：

多個電極；以及

電極載體，其承載所述多個電極，其中

所述電極載體包括粘彈性材料；

其中所述電極載體被配置為：從基本上平直的第一狀態(tài)恢復到彎曲的、不受約束并且松弛的第二狀態(tài)；

其中在所述第一狀態(tài)時，所述粘彈性材料的一部分被壓縮；并且在所述第二狀態(tài)時，所述粘彈性材料的所述一部分松弛以使所述電極載體彎曲；并且

其中所述電極載體被配置為在移除外力或約束之后從所述第一狀態(tài)恢復到所述第二狀態(tài)。

2.根據(jù)權利要求1所述的電極陣列，其中：

所述電極載體由粘彈性材料制成。

3.根據(jù)權利要求1所述的電極陣列，其中：

所述電極載體由粘彈性硅樹脂制成。

4.根據(jù)權利要求3所述的電極陣列，其中：

所述電極載體不含非粘彈性硅樹脂。

5.根據(jù)權利要求2所述的電極陣列，其中：

所述電極載體具有處于不受約束并且松弛的狀態(tài)的彎曲配置。

6.根據(jù)權利要求1所述的電極陣列，其中：

所述電極載體被配置為在不少于30秒內從所述第一狀態(tài)恢復到所述第二狀態(tài)。

7.根據(jù)權利要求2所述的電極陣列，其中：

所述電極載體被配置為在不少于一分鐘內所述第一狀態(tài)恢復到所述第二狀態(tài)。

8.根據(jù)權利要求1所述的電極陣列，其中：

所述電極載體被配置為在不少于兩分鐘內所述第一狀態(tài)恢復到所述第二狀態(tài)。

9.根據(jù)權利要求2所述的電極陣列，其中：

所述電極載體被配置為在不少于三分鐘內從所述第一狀態(tài)恢復到所述第二狀態(tài)。

10.一種可植入式部件，包括粘彈性材料，使得所述可植入式部件能夠被插入到接受者中，并且，在完全插入到所述接受者中之后，從第一幾何形狀變換為第二幾何形狀；

其中所述可植入式部件被配置為在移除外力或約束之后從所述第一幾何形狀變換為所述第二幾何形狀；

其中在所述第一幾何形狀時，所述粘彈性材料的一部分被壓縮；并且在所述第二幾何形狀時，所述粘彈性材料的所述一部分松弛以使所述可植入式部件變換。

11.根據(jù)權利要求10所述的可植入式部件，其中：

從所述第一幾何形狀變換為所述第二幾何形狀的動作完全是不含金屬的彈性材料的結果。

12.根據(jù)權利要求10所述的可植入式部件，其中：

從所述第一幾何形狀變換為所述第二幾何形狀的動作被執(zhí)行，而不相對于發(fā)起或產生所述變換的所述可植入式部件移動任何部件。

13.根據(jù)權利要求10所述的可植入式部件，其中：

所述可植入式部件是耳蝸電極陣列；

所述可植入式部件到所述接受者中的插入包括：所述電極陣列到耳蝸中的插入；

所述第一幾何形狀是至少部分由所述耳蝸的曲率產生的彎曲幾何形狀；以及

所述第二幾何形狀是平均曲率半徑比所述第一幾何形狀的平均曲率半徑小的彎曲幾何形狀。

14.根據(jù)權利要求10所述的可植入式部件，其中：

所述可植入式部件是耳蝸電極陣列；

所述可植入式部件到所述接受者中的插入包括：所述電極陣列以第三幾何形狀到接受者的耳蝸中的插入；

所述第一幾何形狀是至少部分由所述耳蝸的曲率產生的彎曲幾何形狀；以及

所述第三幾何形狀是相對于所述第一幾何形狀的所述彎曲幾何形狀的基本上平直的幾何形狀或負向彎曲的幾何形狀中的一種幾何形狀。