[發明專利]一種高精度雙通道光電耦合器

在審

• 申請號: 202111279496.7
• 申請日: 2021-10-29
• 公開（公告）號: CN114023731A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 何丁財;黃俊民;高康;孫鳳義;董海昌
• 申請（專利權）人: 珠海市大鵬電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L31/0203;H01L31/0224;H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

1.一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于，包括第一支架和第二支架，

所述第一支架的基島面中心位置處固定安裝有一顆用于接收紅外光的紅外接收光敏三極管芯片，所述紅外接收光敏三極管芯片的焊墊與第一支架的焊點位置之間設有鍵合絲；

所述第二支架的單個基島面中心位置處固定有兩顆并列排布、用于發射紅外光的紅外發光二極管芯片；

兩顆紅外發光二極管芯片固定于基島面時，一顆紅外發光二極管芯片的P極和N極分別正向的對應焊墊面和背金面，另一顆紅外發光二極管芯片的P極和N極分別反向倒裝的對應背金面和焊墊面、并形成P極作為背金面和N極作為焊墊面的反向電路倒裝結構，兩顆所述紅外發光二極管芯片的P極和N極正反向焊墊面與背金面互換、并形成正極性與反極性的紅外發射芯片組合；

兩顆所述紅外發光二極管芯片的焊墊與第二支架的焊點位置之間分別設有鍵合絲；

所述第一支架相對第二支架折彎后形成兩顆紅外發光二極管芯片與紅外接收光敏三極管芯片直接對射設置。

2.根據權利要求1所述的一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于：兩顆所述紅外發光二極管芯片為采用同材質的GaAs紅外發光二極管芯片。

3.根據權利要求1所述的一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于：兩顆所述紅外發光二極管芯片的焊墊與第二支架上的二個焊點分別一一對應焊接形成單一基島上二個焊點的二次焊接。

4.根據權利要求1所述的一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于：所述紅外接收光敏三極管芯片和所述紅外發光二極管芯片分別通過導電銀膠固定于各自的基島面上。

5.根據權利要求1所述的一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于：所述紅外接收光敏三極管芯片和所述紅外發光二極管芯片上的鍵合絲分別采用超聲波焊接鍵合。

6.根據權利要求1所述的一種高精度雙通道光電耦合器，其特征在于：所述第二支架的基島面上采用針頭垂直吐膠方式、一次性將兩顆紅外發光二極管芯片直接采用硅膠包裹固定。