[發明專利]一種功率模塊的貼片封裝方法及封裝結構

在審

• 申請號: 202111250237.1
• 申請日: 2021-10-26
• 公開（公告）號: CN114005758A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 杜隆純;戴小平;柯攀;曾亮;劉亮;黃蕾
• 申請（專利權）人: 湖南國芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;張高潔

1.一種功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，包括：

保持功率模塊的芯片正面朝下；

使芯片正面的源極與柵極的表面分別與對應的第一金屬薄膜貼合并吸附所述第一金屬薄膜；

將吸附有所述第一金屬薄膜的芯片以正面朝下的姿態貼于下襯板；

燒結所述第一金屬薄膜，以在所述芯片的源極與柵極和所述下襯板之間分別形成第一金屬燒結層。

2.根據權利要求1所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，還包括：

保持功率模塊的芯片反面朝下；

使芯片反面的漏極的表面與對應的第二金屬薄膜貼合并吸附所述第二金屬薄膜；

將吸附有所述第二金屬薄膜的芯片以反面朝下的姿態貼于上襯板；

燒結所述第二金屬薄膜，以在所述芯片的漏極和所述上襯板之間形成第二金屬燒結層。

3.根據權利要求2所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，還包括：

吸附所述第一金屬薄膜時，保持所述第一金屬薄膜完全位于所述芯片的源極與柵極表面上的焊窗區域內；

吸附所述第二金屬薄膜時，保持所述第二金屬薄膜完全位于所述芯片的漏極表面上的焊窗區域內。

4.根據權利要求1所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，在燒結所述第一金屬薄膜之后，還包括：

在上襯板表面印刷一定厚度的銀膏；

保持所述上襯板印刷有銀膏的表面朝下并扣于所述芯片的反面上，使銀膏所在區域與所述芯片反面上的漏極所在區域重合；

燒結所述銀膏，以在所述芯片的漏極與所述上襯板之間形成銀燒結層。

5.根據權利要求1至4任一項所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，所述芯片正面的源極與柵極的表面同時貼合對應的所述第一金屬薄膜。

6.根據權利要求2或3所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜的厚度大于所述第二金屬薄膜的厚度。

7.根據權利要求2或3所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，所述所述第一金屬薄膜與所述第二金屬薄膜采用銀膜或銅膜。

8.根據權利要求1至4任一項所述的功率模塊的貼片封裝方法，其特征在于，利用貼片機的吸頭吸取芯片并保持芯片相應一側表面朝下。

9.一種功率模塊的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構為疊層結構，其包括由上至下重疊設置的上襯板、芯片組件以及下襯板，所述芯片組件包括至少一個芯片；

所述芯片的源極與柵極和所述下襯板的導電區域之間分別具有第一金屬燒結層，所述芯片的漏極與所述上襯板的導電區域之間具有第二金屬燒結層。

10.根據權利要求9所述的功率模塊的封裝結構，其特征在于，所述芯片的源極與柵極所分別對應的所述第一金屬燒結層圍成的區域覆蓋所述芯片的中心；

所述第二金屬燒結層的圍成的區域覆蓋所述芯片的中心。

11.根據權利要求9或10所述的功率模塊的封裝結構，其特征在于，所述第一金屬燒結層的厚度大于所述第二金屬燒結層的厚度。