[發(fā)明專利]光伏電池印刷不良片的回收方法及返工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111248790.1 | 申請日: | 2021-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN113889551A | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 付昊鑫;杜俊霖;陳紅元;孟凡英;劉正新 | 申請(專利權)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武嬌 |
| 地址: | 610200 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 印刷 不良 回收 方法 返工 | ||
本發(fā)明涉及一種光伏電池印刷不良片的回收方法和返工方法,包括如下步驟:將光伏電池印刷不良片分別進行熱處理和第一酸洗處理,以去除光伏電池印刷不良片表面的樹脂、電極和透明導電氧化物薄膜,得到中間電池片,其中熱處理的溫度不低于樹脂的分解溫度;將中間電池片進行第二酸洗處理,以去除中間電池片表面的非晶硅薄膜,得到硅片;及對硅片進行制作光伏電池的步驟操作。如此保證了返工后的電池片的電池效率,實現(xiàn)了光伏電池印刷不良片的有效返工,避免了樹脂在后續(xù)浸泡處理時殘留在電池片上導致無法達到返工效果的問題,有效地減小由印刷不良而帶來的經(jīng)濟損失,提高了經(jīng)濟效益。
本發(fā)明要求于2021年08月12日提交中國專利局、申請?zhí)枮?02110923931.9發(fā)明名稱為“一種SHJ電池絲網(wǎng)印刷后不良返工方法”的中國專利申請的優(yōu)先權,其全部內容通過引用結合在本發(fā)明中。
技術領域
本發(fā)明涉及電池技術領域,特別是涉及一種光伏電池印刷不良片的回收方法及返工方法。
背景技術
太陽能光伏電池(簡稱光伏電池)用于把太陽的光能直接轉化為電能。目前地面光伏系統(tǒng)大量使用的是以硅為基底的硅太陽能電池,可分為單晶硅、多晶硅、非晶硅太陽能電池。
硅基異質結太陽能電池(Silicon Heterojunction Solar cell,英文簡稱SHJ電池)是繼PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)太陽能電池之后的新一代硅基太陽能電池。SHJ電池具備生產(chǎn)工序簡單、電池轉換效率高、弱光效應好、無光衰等優(yōu)點,被行業(yè)內視為下一代量產(chǎn)太陽能電池技術。SHJ電池的制造工藝主要由清洗制絨、非晶硅薄膜(a-Si)沉積、透明導電氧化物薄膜(TCO)沉積、金屬化電極制作四個工藝過程組成。其中,金屬化電極制作主要有絲網(wǎng)印刷和電鍍兩種方法,目前仍是以絲網(wǎng)印刷方法為主。
在制備SHJ電池的印刷過程中,受設備故障、工藝不穩(wěn)定、人員操作不當?shù)纫蛩氐挠绊懀菀自斐芍T多印刷不良電池片,極大地影響產(chǎn)品的良品率。生產(chǎn)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,該類不良電池片一般可占到1.0%~2.0%左右。SHJ電池的金屬化電極制作主要采用的是低溫銀漿,并進行低溫固化的絲網(wǎng)印刷方式,傳統(tǒng)的返工方法無法適用;因此目前該類電池片的處理方法為降級或按照碎片進行報廢處理,這樣會造成極大的經(jīng)濟損失。
發(fā)明內容
基于此,有必要提供一種光伏電池印刷不良片的回收方法及返工方法,其能夠有效地減小由印刷不良而帶來的經(jīng)濟損失,提高經(jīng)濟效益。
本發(fā)明是通過如下技術方案實現(xiàn)的。
本發(fā)明的一個方面,提供了一種光伏電池印刷不良片的回收方法,包括如下步驟:
將光伏電池印刷不良片分別進行熱處理和第一酸洗處理,以去除所述光伏電池印刷不良片表面的樹脂、電極和透明導電氧化物薄膜,得到中間電池片,其中所述熱處理的溫度不低于所述樹脂的分解溫度;及
將所述中間電池片進行第二酸洗處理,以去除所述中間電池片表面的非晶硅薄膜。
在其中的一些實施例中,所述熱處理的條件為:于含氧氛圍下在400℃~900℃燒結1min~20min。
在其中的一些實施例中,所述第一酸洗處理所采用的酸液含有鹽酸;在所述第一酸洗處理所采用的酸液中,所述鹽酸的濃度為5wt%~37wt%;
所述第一酸洗處理的溫度為20℃~60℃,時間為5min~120min。
在其中的一些實施例中,所述第二酸洗處理所采用的酸液包含氫氟酸和氧化劑;
在所述第二酸洗處理所采用的酸液中,所述氫氟酸的濃度為0.5wt%~10wt%;
所述第二酸洗處理的溫度為20℃~60℃,時間為2min~20min。
在其中的一些實施例中,所述氧化劑包括臭氧、硝酸和過氧化氫中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





