[發明專利]一種改善AA hole橫向mura的方法在審
| 申請號: | 202111248584.0 | 申請日: | 2021-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN113889021A | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 鄭劍花 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 aa hole 橫向 mura 方法 | ||
本發明公開了一種改善AA hole橫向mura的方法,包括如下步驟:S1:標記AA hole橫向mura的pixel位置,此位置為區域二,區域二gamma單獨控制;S2:調節區域一gamma并抓取調節后的各灰階綁點的亮度;S3:將抓取到的各個灰階綁點的亮度設置為區域二的目標亮度,并調節區域二的gamma;S4:抓取區域二各灰階亮度并與區域一的亮度進行對比,若亮度相差2%,即判定OK,若2%,則返回步驟S2;S5:記錄區域一及區域二的gamma寄存器值,記錄兩者的差值,燒錄區域一的寄存器值和區域二的差值,對區域二進行offset補償。本發明標記區域二位置,分開調試區域一和二的gamma,達到區域二和區域一亮度一致的效果,有效解決AA hole橫向mura,并節省存儲空間。
技術領域
本發明屬于AA hole面板技術領域,具體涉及一種改善AA hole橫向mura的方法。
背景技術
目前屏下挖孔處于主流階段,但是在AA hole區(如圖1中的②所示)存在明顯mura問題,一般存在比正常顯示區(如圖1中的①所示)偏暗的問題。目前市面上主流的AA hole面板,由于在AA hole的區域需要繞線,RC loading相較于正常顯示區域大一些,data的充電較慢,如圖2-3所示,像素充電較慢,在TFT關閉前無法達到預定的data準位,則挖孔區對應的橫向區域二會出現偏暗mura現象。為此,我們提出一種改善AA hole橫向mura的方法,以解決上述背景技術中提到的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種改善AA hole橫向mura的方法,以解決上述背景技術中提出的問題。
目前屏下挖孔處于主流階段,但是在AA hole區(如圖1中的②所示)存在明顯mura問題,一般存在比正常顯示區(如圖1中的①所示)偏暗的問題。
目前市面上主流的AA hole面板,由于在AA hole的區域需要繞線,RC loading相較于正常顯示區域大一些,data的充電較慢,如圖2-3所示,像素充電較慢,在TFT關閉前無法達到預定的data準位,則挖孔區對應的橫向區域二會出現偏暗mura現象。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種改善AA hole橫向mura的方法,包括如下步驟:
S1:標記AA hole橫向mura的pixel位置,此位置為區域二,區域二gamma單獨控制;
S2:調節區域一gamma并抓取調節后的各灰階綁點的亮度;
S3:將抓取到的各個灰階綁點的亮度設置為區域二的目標亮度,并調節區域二的gamma;
S4:抓取區域二各灰階亮度并與區域一的亮度進行對比,若亮度相差2%(通過實驗測試2%人眼不易察覺亮度差),即判定OK,若2%,則返回步驟S2;
S5:記錄區域一及區域二的gamma寄存器值,記錄兩者的差值,燒錄區域一的寄存器值和區域二的差值,對區域二進行offset補償。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明提供的一種改善AA hole橫向mura的方法,本發明標記區域二位置,分開調試區域一和二的gamma,達到區域二和區域一亮度一致的效果,解決因AA hole處區域RC loading較大造成的橫向區域偏暗mura問題,有效解決AA hole橫向mura,并節省存儲空間。
附圖說明
圖1為AA hole示意圖;
圖2為Pixel電路簡圖;
圖3為圖2對應pixel充電波形圖;
圖4為本發明一種改善AA hole橫向mura的方法的流程示意圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福建華佳彩有限公司,未經福建華佳彩有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111248584.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





