[發明專利]一種量子點的清洗方法及制備方法

在審

• 申請號: 202111246931.6
• 申請日: 2021-10-26
• 公開（公告）號: CN113801654A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 孫培川;宋斌;梁凱旋;姚琪
• 申請（專利權）人: 合肥福納科技有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;B08B3/08;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 呂露

本申請提供一種量子點的清洗方法及制備方法，屬于量子點技術領域。量子點的清洗方法包括：將量子點分散在第一非配位溶劑中，加入第一配位溶劑，在80～120℃下攪拌反應20～40min。量子點的配體為三正辛基氧膦和/或正磷酸十八酯。第一配位溶劑的摩爾數為量子點的陽離子的摩爾數的2～3倍。第一配位溶劑為油酸和/或油酸鋅。對于配體是三正辛基氧膦和/或正磷酸十八酯的量子點，本申請的量子點的清洗方法采用油酸和/或油酸鋅對量子點表面配體進行交換，使量子點表面的配體變成油酸和/或油酸鋅，在后續的清洗過程中，能夠提高量子點的清洗產率。

技術領域

本申請涉及量子點技術領域，具體而言，涉及一種量子點的清洗方法及制備方法。

背景技術

量子點(QDs)又稱半導體納米晶，是一種由Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族元素組成的納米顆粒，直徑約1～100nm。由于量子點具有較小的尺寸，使其具有特殊的小尺寸效應、表面效應、量子尺寸效應及宏觀量子隧道效應。量子點表現出獨特的光學特性，如量子產率高、熒光壽命長、消光系數大、光耐受性強、發射光譜窄和激發光譜范圍較寬等。量子點的制備和應用引起了人們廣泛的研究興趣，在生物醫學和光電子領域都擁有廣闊的應用前景。

Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族量子點的反應體系是油性體系，通過量子點的周圍會存在大量的有機配體，以此來防止量子點的團聚及減少量子點的表面缺陷。為了得到單分散以及均一性較好的CdSe量子點，通常要控制前驅體的反應活性，目前常用的陽離子的前驅體，通常包括陽離子-TOPO(三正辛基氧膦)、陽離子-ODPA(正磷酸十八酯)、陽離子-OA(油酸)。使用陽離子-TOPO(三正辛基氧膦)和陽離子-ODPA(正磷酸十八酯)作為陽離子的前驅體時，得到的量子點的清洗產率較低。

發明內容

本申請提供了一種量子點的清洗方法及制備方法，其能夠提高量子點的清洗產率。

本申請的實施例是這樣實現的：

在第一方面，本申請示例提供了一種量子點的清洗方法，其包括：將量子點分散在第一非配位溶劑中，加入第一配位溶劑，在80～120℃下攪拌反應20～40min。

量子點的配體為三正辛基氧膦和/或正磷酸十八酯。

第一配位溶劑的摩爾數為量子點的陽離子的摩爾數的2～3倍。

第一配位溶劑為油酸和/或油酸鋅。

在上述技術方案中，對于配體是三正辛基氧膦和/或正磷酸十八酯的量子點，本申請的量子點的清洗方法采用油酸和/或油酸鋅對量子點表面配體進行交換，使量子點表面的配體變成油酸和/或油酸鋅，在后續的清洗過程中，能夠提高量子點的清洗產率。

結合第一方面，在本申請的第一方面的第一種可能的示例中，上述量子點為Ⅱ-Ⅵ族量子點和/或Ⅲ-Ⅴ族量子點。

在上述示例中，本申請的配體交換法適用于Ⅱ-Ⅵ族量子點和Ⅲ-Ⅴ族量子點。

結合第一方面，在本申請的第一方面的第二種可能的示例中，上述將量子點分散在第一非配位溶劑后，量子點的陽離子在第一非配位溶劑中的濃度為0.25～0.5mol/L。

結合第一方面，在本申請的第一方面的第三種可能的示例中，上述第一非配位溶劑包括十八烯、正己烷、正辛烷和氯仿中的任意一種或多種。

結合第一方面，在本申請的第一方面的第四種可能的示例中，上述反應在惰性氣體氛圍下進行。

在上述示例中，在惰性氣體氛圍下進行上述反應有利于量子點保持穩定性。