[發(fā)明專利]一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111246091.3 | 申請日: | 2021-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN114221528A | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周海龍;林旭東;尹震東;冷述文;李杰;郭肖男;叢雯鍇;張鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 華能山東發(fā)電有限公司白楊河發(fā)電廠 |
| 主分類號: | H02M1/088 | 分類號: | H02M1/088;H02M1/32 |
| 代理公司: | 北京睿博行遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11297 | 代理人: | 黃德躍 |
| 地址: | 255200 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 coms 輸出 驅(qū)動(dòng) 電路 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng),包括,電源模塊,所述電源模塊用于對各個(gè)模塊進(jìn)行電流的通斷,驅(qū)動(dòng)模塊,所述驅(qū)動(dòng)模塊用于對主電路的下級模塊運(yùn)行前進(jìn)行模擬測試,同時(shí)進(jìn)行運(yùn)行結(jié)果信號傳遞,MOS管連接模塊,所述MOS管連接模塊用于對驅(qū)動(dòng)電路中數(shù)字信號進(jìn)行邏輯轉(zhuǎn)換,從而對電路的“導(dǎo)通”與“關(guān)閉”的工作狀態(tài)進(jìn)行判定。本發(fā)明中通過采用CMOS場管進(jìn)行設(shè)計(jì),各個(gè)通道采用續(xù)流二極管,從而防止了感性負(fù)載動(dòng)作期間的浪涌對電路的沖擊,此外通過各個(gè)通道的CMOS場管控制電源采用的光耦隔離技術(shù),從而確保控制電壓、驅(qū)動(dòng)電壓及通道之間獨(dú)立,各個(gè)通道采用防短路及接地設(shè)計(jì),穩(wěn)定保障了控制卡件的可靠性,防止高壓電串入DCS或PLC。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及場效應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在當(dāng)前半導(dǎo)體發(fā)展環(huán)境中,大功率場效應(yīng)管由于工作頻率高,驅(qū)動(dòng)損耗小等優(yōu)點(diǎn)在高頻大功率電子設(shè)備中成為了不可替代的功率半導(dǎo)體器件,尤其是在高頻大功率開關(guān)電源以及高頻感應(yīng)加熱設(shè)備中,大功率場效應(yīng)管幾乎是了唯一可以選擇的功率器件,但由于主回路工作電壓高,驅(qū)動(dòng)功率大,且開關(guān)頻率高,為了減少功率變換電路對控制電路(尤其是以DSP等數(shù)字處理器為核心的控制系統(tǒng))干擾,實(shí)際運(yùn)用中需要把功率電路和控制電路隔離,因此就需要具有隔離驅(qū)動(dòng)功能的大功率場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路。
目前市場上的場效應(yīng)驅(qū)動(dòng)器很多,但大多以IR公司的小功率的專用IC為主,這類IC的缺點(diǎn)在于本能實(shí)現(xiàn)控制電路與功率電路的隔離驅(qū)動(dòng),且驅(qū)動(dòng)能力小,動(dòng)作壽命較低,為解決上述問題,提出了一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn),而提出的一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種基于COMS場管的輸出驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng),包括:
電源模塊,所述電源模塊用于對各個(gè)模塊進(jìn)行電流的通斷;
驅(qū)動(dòng)模塊,所述驅(qū)動(dòng)模塊用于對主電路的下級模塊運(yùn)行前進(jìn)行模擬測試,同時(shí)進(jìn)行運(yùn)行結(jié)果信號傳遞;
MOS管連接模塊,所述MOS管連接模塊用于對驅(qū)動(dòng)電路中數(shù)字信號進(jìn)行邏輯轉(zhuǎn)換,從而對電路的“導(dǎo)通”與“關(guān)閉”的工作狀態(tài)進(jìn)行判定;
故障檢測模塊,所述故障檢測模塊用于對電路進(jìn)行正壓和負(fù)壓檢測,以及對MOS管連接端脈沖進(jìn)行檢測;
脈沖調(diào)理模塊,所述脈沖調(diào)理模塊用于對MOS管信號輸入端的異常脈沖信號進(jìn)行調(diào)控;
脈沖隔離模塊,所述脈沖隔離模塊用于對無法調(diào)控的的異常脈沖信號進(jìn)行信號隔離處理。
優(yōu)選地,所述MOS管連接模塊中采用NMOS管與PMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)性MOS集成電路,所述MOS集成電路共有三個(gè)端口,分為G、D和S,所述MOS集成電路通過G端口進(jìn)行D和S端口的電流控制,并通過組合的MOS集成電路通過邏輯判定來確定電路的工作狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述驅(qū)動(dòng)模塊與所述MOS管連接模塊的信號輸入端進(jìn)行連接,所述驅(qū)動(dòng)模塊與故障檢測模塊的信號輸入進(jìn)行連接,所述驅(qū)動(dòng)模塊與的輸入端與電源模塊的輸出端進(jìn)行連接。
優(yōu)選地,所述故障檢測模塊包括MOS檢測單元、負(fù)壓檢測單元、正壓檢測單元和故障指示單元,所述MOS檢測單元用于對MOS管輸出脈沖進(jìn)行檢測,所述負(fù)壓檢測單元用于對負(fù)電壓進(jìn)行檢驗(yàn)校對,所述正壓檢測單元用于對正電壓進(jìn)行檢測比對,所述故障指示單元對故障信號進(jìn)行接收并顯示;
所述負(fù)壓檢測單元、MOS檢測單元和正壓檢測單元的外供電壓皆為15V,所述外供電壓為穩(wěn)定的直流電壓。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
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