[發明專利]一種用于低功耗LDO的瞬態增強電路

有效

• 申請號: 202111241876.1
• 申請日: 2021-10-25
• 公開（公告）號: CN114185384B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 張藝蒙;李宇飛;宋慶文;湯曉燕;張玉明
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王萌

1.一種用于低功耗LDO的瞬態增強電路，其特征在于，包括：過沖檢測電路、負擺率增強控制信號產生電路、正擺率增強控制信號產生電路和擺率增強電路，其中，

所述過沖檢測電路的輸入端連接LDO的輸出端，第一輸出端連接所述負擺率增強控制信號產生電路的輸入端，第二輸出端連接所述正擺率增強控制信號產生電路的輸入端；

所述負擺率增強控制信號產生電路的輸出端和所述正擺率增強控制信號產生電路的輸出端均連接所述擺率增強電路的輸入端；所述擺率增強電路的輸出端連接所述LDO的調整管；

所述過沖檢測電路用于檢測所述LDO的輸出電壓，在所述LDO的輸出電壓發生跳變時，產生下沖檢測信號(VSEN_P)和上沖檢測信號(VSEN_N)；

所述負擺率增強控制信號產生電路在所述LDO的輸出電壓下沖時，根據所述下沖檢測信號(VSEN_P)產生負擺率增強控制信號(Under_Signal)；

所述正擺率增強控制信號產生電路在所述LDO的輸出電壓上沖時，根據所述上沖檢測信號(VSEN_N)產生正擺率增強控制信號(Over_Signal)；

所述擺率增強電路根據接收的所述負擺率增強控制信號(Under_Signal)或者所述正擺率增強控制信號(Over_Signal)，控制所述LDO的調整管的柵極快速充放電，以實現LDO的快速瞬態響應；

其中，所述過沖檢測電路包括第一電容(C1)、第二電容(C2)、第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)，其中，

所述第一MOS管(M1)的源極輸入外接P管偏置電壓(V_BIAS_P)，柵極分別連接其漏極以及所述第二MOS管(M2)的柵極和源極；

所述第四MOS管(M4)的源極輸入外接N管偏置電壓(V_BIAS_N)，柵極分別連接其漏極以及所述第三MOS管(M3)的柵極和源極；

所述第二MOS管(M2)的漏極作為所述過沖檢測電路的第一輸出端輸出所述下沖檢測信號(VSEN_P)；所述第三MOS管(M3)的漏極作為所述過沖檢測電路的第二輸出端輸出所述上沖檢測信號(VSEN_N)；

所述第一電容(C1)串接在所述LDO的輸出端與所述第二MOS管(M2)的漏極之間；所述第二電容(C2)串接在所述LDO的輸出端與所述第三MOS管(M3)的漏極之間。

2.根據權利要求1所述的用于低功耗LDO的瞬態增強電路，其特征在于，當所述LDO的調整管為pMOS管，所述負擺率增強控制信號產生電路包括：第三電容(C3)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九pMOS管(Mp9)、第十pMOS管(Mp10)、第十一MOS管(M11)、第十二MOS管(M12)和第十三MOS管(M13)，其中，

所述第五MOS管(M5)的源極、所述第七MOS管(M7)的源極和所述第九pMOS管(Mp9)的源極均連接電源端(VDD)；

所述第五MOS管(M5)的柵極連接所述過沖檢測電路的第一輸出端，漏極分別連接所述第六MOS管(M6)的漏極，所述第七MOS管(M7)的柵極、所述第八MOS管(M8)的柵極、所述第十pMOS管(Mp10)的柵極和所述第十二MOS管(M12)的柵極；

所述第六MOS管(M6)的柵極輸入所述外接N管偏置電壓(V_BIAS_N)；

所述第七MOS管(M7)的漏極分別連接所述第八MOS管(M8)的漏極和所述第十一MOS管(M11)的柵極；

所述第九pMOS管(Mp9)的柵極輸入所述外接P管偏置電壓(V_BIAS_P)，漏極連接所述第十pMOS管(Mp10)的源極；

所述第十pMOS管(Mp10)的漏極分別連接所述第十一MOS管(M11)的源極、所述第十二MOS管(M12)的漏極和所述第十三MOS管(M13)的柵極；

所述第十一MOS管(M11)的漏極分別連接所述第十二MOS管(M12)的源極、所述第十三MOS管(M13)的漏極和所述擺率增強電路的第二輸入端；

所述第三電容(C3)串接在所述第十pMOS管(Mp10)的漏極與接地端(GND)之間；

所述第六MOS管(M6)的源極、所述第八MOS管(M8)的源極和所述第十三MOS管(M13)的源極均連接所述接地端(GND)。