[發(fā)明專利]一種天線的射頻電路結構及天線

有效

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• 申請日: 2021-10-22
• 公開（公告）號: CN114024554B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設計）人: 曾小金;閻魯濱
• 申請（專利權）人: 星啟空間（南通）通信設備有限公司
• 主分類號: H04B1/00
• 分類號: H04B1/00;H04B1/401
• 代理公司: 北京潤捷智誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11831
• 代理人: 安利霞

1.一種天線的射頻電路結構，其特征在于，包括：

至少四個微帶天線；

與所述至少四個微帶天線電連接的至少兩個信號傳輸單元；

與所述至少兩個信號傳輸單元電連接的功分平面交叉矩陣；

與所述功分平面交叉矩陣電連接的信號發(fā)射單元；

其中，所述功分平面交叉矩陣將所述至少兩個信號傳輸單元輸出的信號進行交叉后輸入到所述信號發(fā)射單元輸出；

其中，當至少兩個信號傳輸單元輸出N束信號時，所述功分平面交叉矩陣包括(N-1)級的矩陣耦合器層；其中，N為正整數，1＜n＜N；

第n級的矩陣耦合器層設置有n個矩陣耦合器；其中，n為正整數，1＜m＜n；

第n級的第1個矩陣耦合器的一個輸入信號為第一信號傳輸單元輸出的第(N-n+1)束信號；另一個輸入信號為第n-1級的第1個矩陣耦合器輸出信號；

第n級的第m個矩陣耦合器的一個輸入信號為第n-1級的第m-1個矩陣耦合器的輸出信號；另一個輸入信號為第n-1級的第m個矩陣耦合器的輸出信號；

第n級的第n個矩陣耦合器的一個輸入信號為第n-1級的第n-1個矩陣耦合器輸出信號；另一個輸入信號為第二信號傳輸單元輸出的第N束信號。

2.根據權利要求1所述的天線的射頻電路結構，其特征在于，所述信號傳輸單元包括：

與所述微帶天線電連接的蘭格耦合器；

通過至少兩個單刀雙擲開關與所述蘭格耦合器電連接的低噪放大器；

與至少兩個所述低噪放大器電連接的多功能芯片；

其中，所述蘭格耦合器用于將所述微帶天線輸出的至少兩束信號進行耦合處理；

所述至少兩個單刀雙擲開關用于對耦合處理后的信號進行選擇，并將選擇后的信號輸入到所述低噪放大器；

所述低噪放大器用于對輸入低噪放大器的信號進行降噪處理和信號放大處理，并將降噪處理和信號放大處理后的信號輸入至所述多功能芯片；

所述多功能芯片用于對輸入的信號進行可變移相處理、可變衰減處理、移相衰減驅動處理、移相衰減驅動控制處理以及放大處理中的至少一項。

3.根據權利要求2所述的天線的射頻電路結構，其特征在于，所述信號傳輸單元還包括：與所述多功能芯片電連接的衰減平衡電阻。

4.根據權利要求1所述的天線的射頻電路結構，其特征在于，

所述矩陣耦合器的輸入信號從對角線輸出；

所述矩陣耦合器的對角線將輸入的至少兩束輸入信號隔離。

5.根據權利要求1所述的天線的射頻電路結構，其特征在于，當兩個信號傳輸單元輸出4束信號時，所述功分平面交叉矩陣包括3級的矩陣耦合器層；第1級的矩陣耦合器層設置有1個矩陣耦合器，第2級的矩陣耦合器層設置有3個矩陣耦合器，第3級的矩陣耦合器層設置有3個矩陣耦合器；

第1級的第1個矩陣耦合器的一個輸入信號為第一信號傳輸單元輸出的第4束信號；另一個輸入信號為第二信號傳輸單元輸出的第1束信號；

第2級的第1個矩陣耦合器的一個輸入信號為第一信號傳輸單元輸出的第3束信號；另一個輸入信號為第1級的第1個矩陣耦合器的輸出信號；第2級的第2個矩陣耦合器的一個輸入信號為第1級的第1個矩陣耦合器的輸出信號；另一個輸入信號為第二信號傳輸單元輸出的第2束信號；

第3級的第1個矩陣耦合器的一個輸入信號為第一信號傳輸單元輸出的第2束信號；另一個輸入信號為第2級的第1個矩陣耦合器的輸出信號；第3級的第2個矩陣耦合器的一個輸入信號為第2級的第1個矩陣耦合器的輸出信號；另一個輸入信號為第2級的第2個矩陣耦合器的輸出信號；第3級的第3個矩陣耦合器的第2級的第2個矩陣耦合器的輸出信號；另一個輸入信號為第二信號傳輸單元輸出的第3束信號。

6.根據權利要求1所述的天線的射頻電路結構，其特征在于，所述信號發(fā)射單元包括：N個功合器以及與所述功合器連接的密封插頭；所述功合器將來自功分平面交叉矩陣的至少兩束輸入信號進行功率合成處理，并輸出至所述密封插頭，并輸出。