[發(fā)明專利]高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111221975.3
• 申請日: 2021-10-20
• 公開（公告）號: CN113980307A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丘陵;許蘭淑;成會明
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)深圳國際研究生院
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L27/18;C08K7/00;C08K3/38;C09K5/14
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44311
• 代理人: 曾昭毅;鄭海威

1.一種高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料包括以下步驟：

提供氮化硼納米片分散液和聚四氟乙烯分散液；

混合所述氮化硼納米片分散液和聚四氟乙烯分散液，得到混合分散液；

對所述混合分散液進(jìn)行烘干處理，得到混合漿料；及

對所述混合漿料進(jìn)行熱輥壓處理，得到混合膜；

對所述混合膜進(jìn)行燒結(jié)處理，得到高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料，其中，所述高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料包括聚四氟乙烯和分布于所述聚四氟乙烯中的氮化硼納米片，所述氮化硼納米片首尾搭接，形成若干層連續(xù)導(dǎo)熱通路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述氮化硼納米片分散液的濃度為0.5～50mg/mL；和/或

所述聚四氟乙烯分散液的固含量為20～60wt％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述混合漿料的含水率為20～40wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述混合分散液中，所述氮化硼納米片的占比為1～60wt％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述氮化硼納米片的片徑為0.2～1.0μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述熱輥壓處理的輥壓速度為1～26mm/s，兩輥柱的間隙為0.1～1.2mm，輥壓時間為1～120min，溫度為20～200℃；和/或

所述烘干處理的溫度為60～100℃，時間為1～10h；和/或

所述燒結(jié)處理的溫度為100～375℃，時間為1～24h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述氮化硼納米片分散液的溶劑選自去離子水、甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、丙酮、二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、及N-甲基吡咯烷酮中的至少一種；和/或

所述聚四氟乙烯分散液的溶劑為含非離子表面活性劑的去離子水。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料具有膜狀結(jié)構(gòu)，所述膜狀結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的厚度為0.1～1.2mm。

9.一種高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料，其特征在于，所述高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料包括聚四氟乙烯和分布于所述聚四氟乙烯中的氮化硼納米片，所述氮化硼納米片首尾搭接，形成若干層連續(xù)導(dǎo)熱通路。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料，其特征在于，所述高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料具有膜狀結(jié)構(gòu)，所述膜狀結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)熱、低介電復(fù)合材料的厚度為0.1～1.2mm。