[發明專利]陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板

有效

• 申請號: 202111189227.1
• 申請日: 2021-10-12
• 公開（公告）號: CN113985667B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 楊凱祥
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底；

透明氧化物電極，設置在所述基底的一側，所述透明氧化物電極為公共電極；

界面保護層，設置在所述透明氧化物電極背離所述基底的一側；以及

第一絕緣層，設置在所述界面保護層背離所述透明氧化物電極的一側；

柵極，所述柵極包括層疊設置的第一子柵極和第二子柵極，所述第一子柵極與所述公共電極同層且間隔設置，所述第二子柵極設置在所述第一子柵電極與所述界面保護層之間；

有源層，設置在所述第一絕緣層背離所述界面保護層的一側；

源極和漏極，設置在所述有源層背離所述第一絕緣層的一側；

鈍化層，設置在所述漏極背離所述有源層的一側，所述鈍化層中開設有過孔，所述過孔裸露出所述漏極；以及

像素電極，設置在所述鈍化層背離所述漏極的一側，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極連接；

其中，所述界面保護層包括間隔設置的第一保護部和第二保護部，所述第一保護部覆蓋所述公共電極，所述第二保護部覆蓋所述第二子柵極，所述第一絕緣層覆蓋所述第一保護部和所述第二保護部遠離所述基底的表面，并與所述基底未被所述第一子柵極和所述公共電極覆蓋的部分接觸；所述界面保護層的材料為氧化錫、氧化鋁、氧化鈦或氧化釔，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅，所述第一保護部中的氫含量和所述第二保護部中的氫含量均小于所述第一絕緣層中的氫含量，所述界面保護層、所述公共電極、所述第一子柵極以及所述第二子柵極采用同一道光罩制成。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明氧化物電極的材料包括含銦氧化物。

3.根據權利要求1至2任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述界面保護層的厚度小于所述第一絕緣層的厚度。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述界面保護層的厚度為50埃-500埃。

5.一種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括彩膜基板、液晶和如權利要求1至4任一項所述的陣列基板，所述液晶位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間。