[發明專利]發光器件及含其的顯示裝置

在審

• 申請號: 202111188212.3
• 申請日: 2021-10-12
• 公開（公告）號: CN113948503A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 金國君;馮連榮;羅飛
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/54;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請提供了一種發光器件、顯示裝置。發光器件包括：基板，基板的表面上設置多個陣列排布的半球狀的初始LED封裝體；光轉向層，設置于初始LED封裝體上，且光轉向層的遠離基板的一側表面具有平坦作用，光轉向層使得初始LED封裝體工作時發出的光線向法線側偏轉；光轉換層，設置于光轉向層的遠離基板的一側且平行于基板；其中，各個初始LED封裝體的最大出光角度小于90°，且滿足d和h的比值θ為最寬可射出的出光光線與法線的夾角，d為相鄰的任意兩個初始LED封裝體包含的LED的中心點之間的水平距離，h為初始LED封裝體包含的LED的上表面與光轉換層的下表面的最短距離，a為代表發光器件的亮度均勻性的設定值，0.6＜a≤1。

技術領域

本申請涉及光電技術領域，具體而言，涉及一種發光器件及含其的顯示裝置。

背景技術

現行的許多可行技術，主要是通過透鏡或微結構，來增加LED(Light EmittingDiode，半導體發光二極管)的出光角度，使得LED整列的光相對均勻。但是在實際情況中，為了滿足亮度需求和光學均勻性要求，需要改變LED的出光角度，LED排列情況和擴散板、增亮片等光學膜片共同作用。而對于應用了量子點的Mini-LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米半導體發光二極管)等小間距或超小間距的LED陣列常應用于中小尺寸的顯示需求中，LED之間的間隔改變范圍有限。同時中小尺寸顯示對于整體結構的厚度也有了限制，因此通過擴散片等光學膜片改善燈影問題和光均勻性問題也有限。

因此，亟需新的途徑來改善LED陣列的出光均勻性，緩解燈影問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種發光器件，包括：基板，上述基板的表面上設置多個陣列排布的半球狀的初始LED封裝體；光轉向層，設置于上述初始LED封裝體上，且上述光轉向層的遠離上述基板的一側表面具有平坦作用，上述光轉向層使得上述初始LED封裝體工作時發出的光線向法線側偏轉；光轉換層，設置于上述光轉向層的遠離上述基板的一側且平行于上述基板；其中，各個上述初始LED封裝體的最大出光角度θ小于90°，且滿足d和h的比值θ為最寬可射出的出光光線與法線的夾角，d為相鄰的任意兩個上述初始LED封裝體包含的LED的中心點之間的水平距離，h為上述初始LED封裝體包含的LED的上表面與上述光轉換層的下表面的最短距離，a為代表發光器件的亮度均勻性的設定值，0.6＜a≤1。

進一步地，

進一步地，0.85＜a≤1。

進一步地，θ＝60°，d和h的比值≤0.21。

進一步地，上述發光器件還包括：第一光增透層，接觸設置于上述初始LED封裝體上，貼合各個初始LED封裝體的輪廓并延伸；上述第一光增透層用于使上述初始LED封裝體發出的波長小于預定波長的第一光線透過；上述第一光增透層的等效折射率大于上述光轉向層的等效折射率；優選地，上述預定波長為500nm。

進一步地，上述第一光增透層還用于使波長范圍在預定波段內的第二光線被反射，上述第二光線為從上述光轉換層出射并到達上述第一光增透層的光線；優選地，上述預定波段的范圍為380nm-780nm。

進一步地，上述發光器件還包括：第二光增透層，位于上述光轉換層的遠離上述光轉向層的一側，上述第二光增透層用于使可見光通過，并且用于阻止紫外光通過；優選地，上述第二光增透層能夠透過波長范圍為450nm-780nm的光線。

進一步地，上述第二光增透層包括擴散粒子。

進一步地，上述第二光增透層、上述光轉換層、上述光轉向層及上述第一光增透層各自獨立地包含一層或多層。

進一步地，上述第二光增透層的等效折射率、上述光轉換層的等效折射率、上述光轉向層的最大等效折射率及上述第一光增透層的等效折射率依次增大。

進一步地，上述發光器件還包括：保護層，上述保護層位于上述第二光增透層的遠離上述光轉換層的一側。