[發明專利]一種建立HMX含能材料缺陷模型的方法在審
| 申請號: | 202111187193.2 | 申請日: | 2021-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN113935214A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發明(設計)人: | 晏中華;徐燦;陳朝銳;孟倪冰;李莉 | 申請(專利權)人: | 重慶郵電大學 |
| 主分類號: | G06F30/23 | 分類號: | G06F30/23;G06T17/20;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人: | 廖曦 |
| 地址: | 400065 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 建立 hmx 材料 缺陷 模型 方法 | ||
1.一種建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1:根據顯微鏡下的缺陷形貌,簡化HMX含能材料的缺陷;
S2:建立缺陷的三維數學模型;
S3:將缺陷模型導入到三維時域有限差分分析系統中,獲得缺陷模擬數據;
S4:對缺陷模擬數據進行分析處理,獲得HMX含能材料的缺陷模型。
2.根據權利要求1所述的建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:在所述步驟S1中,利用顯微鏡獲取HMX含能材料表面缺陷形貌,將不規則的缺陷形貌簡化為規則的幾何形狀,獲得HMX含能材料的缺陷樣本。
3.根據權利要求1所述的建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:所述缺陷樣本的數據模型為三維數據模型,所述規則的幾何形狀為三維球體孔洞結構、三維棱錐結構或三維直線型劃痕結構。
4.根據權利要求1所述的建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:所述步驟S3中,三維時域有限差分分析系統模擬激光輻照HMX含能材料表面,入射激光被HMX含能材料微觀缺陷的形貌、幾何尺寸以及分布狀態的變化所影響,從而在含能材料局部區域形成光增強點或激光起爆熱點的數量和尺寸發生改變,導出并保存HMX含能材料不同截面上的光增強點數據,以此獲得缺陷模擬數據。
5.根據權利要求1所述的建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:將缺陷樣本用正三棱錐底邊邊長l和正三棱錐的高h來描述,選取合適的l和h,輸入三維時域有限差分分析系統中;設置HMX含能材料的尺寸大小,建立笛卡爾坐標系,將HMX含能材料的長寬高分別用Nx,Ny和Nz表示,并將三維時域有限差分分析系統中的最大值變量設置部分修改為含能材料對應的參數。
6.根據權利要求1所述的建立HMX含能材料缺陷模型的方法,其特征在于:所述步驟S4中,將缺陷模擬數據導入繪圖軟件中,利用繪圖軟件進行分析、處理,繪制出缺陷結構,從而獲得HMX含能材料的缺陷模型。
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