[發明專利]一種抗總劑量輻照的電源管理芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 202111165027.2
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113878115B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 吳曉宏;李楊;秦偉;盧松濤;洪楊
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B22F1/16
• 分類號: B22F1/16;C23C16/40;C23C16/455;C09D1/04;C09D7/65;C09D7/63;H01L23/552;B05D1/02;B05D3/02
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 李恩慶

1.一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟1，制備功能填料；

采用原子層沉積生長方法在高Z重金屬材料表面周期沉積生長低Z金屬氧化物膜層，得到核殼結構的功能填料；

所述的步驟1中原子層沉積處理的具體操作過稱為：

將高Z重金屬材料放入原子層沉積儀的沉積腔體內，將沉積腔體抽至真空度為4×10^-3 Torr~6×10^-3Torr，再通入保護氣氛至腔體壓力為0.1Torr~0.2Torr，然后在溫度為150℃~250℃的條件下，在高Z重金屬材料表面進行原子層周期沉積，重復執行100~300個生長沉積周期，獲得功能填料；

每個所述的生長沉積周期的過程為：

向沉積腔體內以脈沖形式注入金屬源，脈沖時間為0.1s～0.3s，反應1s~5s，然后用氮氣進行吹掃，吹掃時間為30s~60s，再向沉積腔體內以脈沖形式注入氧源，脈沖時間為0.01s～0.03s，反應1s~5s，然后用氮氣進行吹掃，吹掃時間為30s~60s；

所述的高Z重金屬材料為鉍、鎢、釓粉體中的一種或幾種按任意比的混合，粒徑直徑為300目~500目；

所述的金屬源為鋁源、鋅源、鈦源中的任意一種或任意兩者組合；

所述的低Z金屬氧化物膜層厚度為50nm~100nm；

步驟2，制備復合涂層；

將樹脂加熱至熔融狀態，然后加入促進劑、偶聯劑、聚醚酰亞胺和功能填料，攪拌混合均勻，得到噴涂稀釋液，對噴涂稀釋液進行超聲處理，靜置，噴涂于電源管理芯片的表面，分段固化，得到復合屏蔽涂層；

所述的步驟2中超聲處理條件為：超聲功率為1000W~2000W，超聲處理使的時間為10min~20min，超聲處理后靜置3min~5min。

2.根據權利要求1所述的一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，所述的鋁源為三甲基鋁，鋅源為二乙基鋅，鈦源為四一丙醇鈦，所述的氧源為去離子水，氧源溫度為室溫。

3.根據權利要求1所述的一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，所述的步驟2中樹脂為氰酸酯樹脂、硅酸鉀樹脂、硅凝膠樹脂中的一種或任意幾種的按任意比的混合，促進劑為乙酰丙酮鋁，偶聯劑為KH560硅烷偶聯劑。

4.根據權利要求1或3所述的一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，所述的樹脂、促進劑、偶聯劑、聚醚酰亞胺和功能填料的質量比為10：（0.5~1）：（0.5~1）：（1~2）：（2~3）。

5.根據權利要求1所述的一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，所述的步驟2中噴涂處理條件為：噴嘴直徑為1mm~3mm，噴槍壓力為0.6MPa~0.8Mpa，噴槍移動速度為50cm/s~100cm/s，噴距為10cm~20cm。

6.根據權利要求1所述的一種抗總劑量輻照的電源管理芯片的制造方法，其特征在于，所述的步驟2中分段固化處理條件為：真空干燥箱中，先在溫度為40~60℃下固化5h~6h，然后在溫度為90~110℃下固化1h~3h，最后在溫度為120~140℃下固化1h~3h。