[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202111159512.9
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN114300426A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 吉見俊二;竹松佑二;山口幸哉;上嶋孝紀;后藤聰;荒屋敷聰
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 郭忠健

本發明提供半導體裝置。第一部件包括由單體半導體系的半導體元件構成一部分的第一電子電路。在第一部件設置有第一導體突起。第二部件與第一部件接合。第二部件在俯視時比第一部件小，包括由化合物半導體系的半導體元件構成一部分的第二電子電路。在第二部件設置有第二導體突起。功率放大器包括前級放大電路和后級放大電路。第二電子電路包括后級放大電路。第一電子電路及第二電子電路中的一方包括前級放大電路。第一電子電路包括使輸入到從多個接點中選擇的一個接點的高頻信號輸入到前級放大電路的第一開關、控制前級放大電路及后級放大電路的動作的控制電路、使從后級放大電路輸出的高頻信號從自多個接點中選擇的一個接點輸出的第二開關。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

在移動體通信、衛星通信等所使用的電子設備中組入有使高頻信號的發送接收功能一體化的RF前端模塊。RF前端模塊具備具有高頻放大功能的單片微波集成電路元件(MMIC)、控制高頻放大電路的控制IC、開關 IC以及雙工器等。

在下述的專利文獻1中公開在MMIC之上層疊控制IC而實現了小型化的結構。專利文獻1所公開的模塊包括搭載在模塊基板之上的MMIC、和層疊于其上的控制IC。MMIC的電極、控制IC的電極以及模塊基板上的電極通過引線接合電連接。

專利文獻1：美國專利申請公開第2015/0303971號說明書

高頻放大電路例如使用異質結雙極晶體管(HBT)。HBT由于在動作中產生集電極損耗而發熱。發熱所引起的HBT的溫度上升向使集電極電流進一步增大的方向進行作用。若滿足該正反饋的條件，則導致HBT熱失控。為了避免HBT的熱失控，限制HBT的輸出電力的上限值。

為了實現高頻放大電路的高輸出化，期望使從構成MMIC的HBT等半導體元件的散熱特性提高。在專利文獻1所公開的模塊結構中，難以滿足近年來的對高頻放大電路的高輸出化的要求。

發明內容

本發明的目的在于提供能夠使從半導體元件的散熱特性提高的半導體裝置。

根據本發明的一觀點，提供一種半導體裝置，具備：

第一部件，包括第一電子電路，上述第一電子電路的一部分由配置在表層部的單體半導體系的半導體元件構成；

至少一個第一導體突起，設置于上述第一部件的一個面，與上述第一電子電路連接；

第二部件，與上述第一部件的設置有上述第一導體突起的面接合，在俯視時比上述第一部件小，包括第二電子電路，上述第二電子電路的一部分由化合物半導體系的半導體元件構成；以及

至少一個第二導體突起，設置于上述第二部件，與上述第二電子電路連接，與上述第一導體突起向同一方向突出，

上述第二電子電路包括后級放大電路，

上述第一電子電路以及上述第二電子電路中的一方包括前級放大電路，由上述前級放大電路放大后的高頻信號輸入到上述后級放大電路，

上述第一電子電路包括：

第一開關，使輸入到從多個接點中選擇的一個接點的高頻信號輸入到上述前級放大電路；

控制電路，控制上述前級放大電路以及上述后級放大電路的動作；以及

第二開關，使從上述后級放大電路輸出的高頻信號從自多個接點中選擇的一個接點輸出。