[發明專利]去除載板的方法在審
| 申請號: | 202111145749.1 | 申請日: | 2021-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN113948405A | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發明(設計)人: | 李志成;宋家濠;何政霖;黃禮智 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京植德律師事務所 11780 | 代理人: | 唐華東 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 方法 | ||
本公開提供了去除載板的方法,通過在將半導體封裝結構鍵合到基板之前,將粘合層和基板依次設置到載板上,再使用真空裝置抽真空以實現將基板固定到載板。再通過外力驅動載板的貫孔內容納的可上下活動的頂針朝向粘合層移動,最終實現基板與粘合層分離,也就實現了基板與載板分離。這里的基板不是通過粘合層的粘性粘合至載板,而是通過抽真空固定至載板,在完成基板與粘合層分離后,不需去除粘合層,簡化制程且不需購買去除粘合層的設備,且粘合層可重復使用可以減少消耗性耗材成本。
技術領域
本公開涉及半導體封裝技術領域,具體涉及去除載板的方法。
背景技術
現有技術中,在將裸芯片(Die)鍵合到基板的過程中,大多需要經過加熱制程(例如,倒裝芯片鍵合或者熱壓縮鍵合)。在加熱制程中,基板在熱脹冷縮的作用下,可能會出現翹曲,進而導致裸芯片與基板之間鍵合斷裂(die bond crack)以及裸芯片與基板之間鍵合過程無潤濕(non-wetting)的現象。
為了防止基板在加熱制程中翹曲,往往需要在加熱制程之前,先將基板利用粘合劑或粘合薄膜粘合于載板上,再進入加熱制程,以避免基板翹曲和裸芯片斷裂的問題。但由于將基板粘合于載板上,在將裸芯片鍵合到基板后,又會出現如何將基板與載板分開的問題。
發明內容
本公開提出了去除載板的方法。
第一方面,本公開提供了一種去除載板的方法,包括:準備載板、基板和至少一個半導體封裝結構,所述載板設置有至少兩個貫孔,所述貫孔內容納有可上下活動的頂針,所述載板表面設置有粘合層,所述粘合層覆蓋各所述貫孔;將所述基板設置于所述粘合層遠離所述載板的表面,并使用真空裝置粘合所述基板、所述粘合層和所述載板;將所述至少一個半導體封裝結構鍵合至所述基板遠離所述粘合層的表面;通過外力驅動所述貫孔內容納的頂針朝向所述粘合層移動,以使所述基板與所述粘合層分離。
在一些可選的實施方式中,所述粘合層為硅膠層。
在一些可選的實施方式中,所述外力為手指施力、機械力或氣壓作用下所形成的。
在一些可選的實施方式中,所述半導體封裝結構包括至少一個芯片。
在一些可選的實施方式中,所述將所述至少一個半導體封裝結構鍵合至所述基板遠離所述粘合層的表面,包括:
采用回焊方法將所述至少一個半導體封裝結構鍵合至所述基板遠離所述粘合層的表面。
在一些可選的實施方式中,所述使用真空裝置粘合所述基板、所述粘合層和所述載板,包括:
將所述基板、所述粘合層和所述載板放置在空氣泵浦的腔體內,在關閉所述腔體的同時對所述腔體抽真空,以實現將所述基板通過所述粘合層粘合至所述載板。
在一些可選的實施方式中,在所述將所述基板設置于所述粘合層遠離所述載板的表面之前,所述方法還包括:
通過外力驅動所述貫孔內容納的頂針朝遠離所述粘合層的方向移動,以使所述頂針不接觸所述粘合層。
為了解決現有將裸芯片鍵合到基板的加熱制程中,如何將基板與載板分開的問題,本公開提供的去除載板的方法,通過在將半導體封裝結構鍵合到基板之前,將粘合層和基板依次設置到載板上,再使用真空裝置抽真空以實現將基板固定到載板。再通過外力驅動載板的貫孔內容納的可上下活動的頂針朝向粘合層移動,最終實現基板與粘合層分離,也就實現了基板與載板分離。這里的基板不是通過粘合層的粘性粘合至載板,而是通過抽真空固定至載板,在完成基板與粘合層分離后,不需去除粘合層,簡化制程且不需購買去除粘合層的設備,且粘合層可重復使用可以減少消耗性耗材成本。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述,本公開的其它特征、目的和優點將會變得更明顯:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





