[發(fā)明專(zhuān)利]太陽(yáng)能疊層電池組件及其制備方法、光伏系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111138364.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113903823A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何嘉偉;戴偉;林綱正;陳剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;廣東愛(ài)旭科技有限公司;天津愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司;珠海富山愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/054 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/054;H01L31/18;H01L27/30 |
| 代理公司: | 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 賈振勇 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能 電池 組件 及其 制備 方法 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明適用于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種太陽(yáng)能疊層電池組件及其制備方法、光伏系統(tǒng),該太陽(yáng)能疊層電池組件包括:位于底部的晶硅底電池及疊置于所述晶硅底電池上的鈣鈦礦頂電池,所述晶硅底電池的柵線上均勻散布有多個(gè)間隔物,所述間隔物具有多個(gè)可反射和/或散射太陽(yáng)光的表面。該太陽(yáng)能疊層電池組件通過(guò)在晶硅底電池的柵線上均勻散布多個(gè)可進(jìn)行反射或散射太陽(yáng)光的間隔物,以在晶硅底電池上形成均勻分布的散射或反射陣列,將部分照射在晶硅底電池柵線上的無(wú)法發(fā)電的太陽(yáng)光通過(guò)反射、散射引入硅片上,提升晶硅底電池對(duì)太陽(yáng)光的利用率,使晶硅底電池的光電轉(zhuǎn)化效率得到提升,進(jìn)一步提高太陽(yáng)能疊層電池組件的最終效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽(yáng)能疊層電池組件及其制備方法、光伏系統(tǒng)。
背景技術(shù)
對(duì)于鈣鈦礦/晶硅疊層電池來(lái)說(shuō),頂電池由帶隙較寬的鈣鈦礦電池構(gòu)成,主要吸收大部分可見(jiàn)光波段的太陽(yáng)能,而底電池由晶硅電池構(gòu)成吸收由頂電池透過(guò)的大部分紅外、近紅外光和少量的可見(jiàn)光。常見(jiàn)的鈣鈦礦/晶硅疊層電池從結(jié)構(gòu)上分可以分為兩端及四端疊層電池。四端疊層電池由于頂電池與底電池?zé)o需遵循電流匹配原則較之兩端電池由更簡(jiǎn)單的制備工藝與更為廣泛的材料選擇,具有較大的量產(chǎn)潛力。
相較兩端鈣鈦礦/晶硅疊層電池,四端電池由于多了一層透明導(dǎo)電層阻礙了光的傳播且頂電池與底電池之間的間隙增加了光程,導(dǎo)致晶硅底電池不能吸收到充足的太陽(yáng)光。另外,照射到晶硅底電池正面電極柵線上的太陽(yáng)光無(wú)法得到充分利用,造成底電池光線轉(zhuǎn)換效率偏低,影響疊層電池最終的效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種太陽(yáng)能疊層電池組件,旨在解決現(xiàn)有鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件中晶硅底電池光電轉(zhuǎn)換效率偏低,影響太陽(yáng)能疊層電池組件效率的問(wèn)題。
本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種太陽(yáng)能疊層電池組件,所述太陽(yáng)能疊層電池組件包括:位于底部的晶硅底電池及疊置于所述晶硅底電池上的鈣鈦礦頂電池,所述晶硅底電池的柵線上均勻散布有多個(gè)間隔物,所述間隔物具有多個(gè)可反射和/或散射太陽(yáng)光的表面。
進(jìn)一步地,所述間隔物為球形間隔物或多個(gè)多邊形組成的多面體間隔物。
進(jìn)一步地,所述間隔物由納米二氧化硅或有機(jī)樹(shù)脂制成。
進(jìn)一步地,所述球形間隔物的直徑為10-20μm。
進(jìn)一步地,所述晶硅底電池包括PERC電池、HJT電池或TOPCon。
進(jìn)一步地,所述鈣鈦礦頂電池由下至上包括第一透明導(dǎo)電膜層、空穴傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、電子傳輸層和第二透明導(dǎo)電膜層。
進(jìn)一步地,所述第一透明導(dǎo)電膜層上設(shè)有用于嵌入所述空穴傳輸層的第一凹槽,貫通所述空穴傳輸層、所述鈣鈦礦光吸收層及所述電子傳輸層用于嵌入所述第二透明導(dǎo)電膜層的第二凹槽;還包括貫通所述空穴傳輸層、所述鈣鈦礦光吸收層、電子傳輸層機(jī)第二透明導(dǎo)電膜層的第三凹槽。
進(jìn)一步地,所述鈣鈦礦電頂池為寬帶隙半透明鈣鈦礦電池。
本發(fā)明另一實(shí)施例的目的還在于提供一種太陽(yáng)能疊層電池組件的制備方法,所述太陽(yáng)能疊層電池組件的制備方法包括以下步驟:
制作晶硅底電池;
將間隔物均勻散布在所述晶硅底電池的柵線上;
制作鈣鈦礦頂電池;
將所述晶硅底電池及所述鈣鈦礦頂電池進(jìn)行封裝。
進(jìn)一步地,所述將間隔物均勻散布在所述晶硅底電池的柵線上包括以下步驟:
將掩模板覆蓋在所述晶硅底電池上,并留出所述晶硅底電池的柵線;
將所述間隔物利用高純度氮?dú)馔ㄈ腱o電槍內(nèi),并通過(guò)靜電槍口將所述間隔物均勻散布在所述晶硅底電池的柵線上;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





