[發明專利]3D NAND閃存及其操作方法在審
| 申請號： | 202111121503.0 | 申請日： | 2020-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN113823347A | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 劉紅濤;黃德佳;魏文喆;黃瑩 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人： | 楊錫勱;趙磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nand 閃存 及其 操作方法 | ||
1.一種用于三維(3D)NAND閃存的編程驗證方法，包括：
對所述3D NAND閃存進行編程；
利用至少一個驗證電壓執行第一驗證過程，
確定所述第一驗證過程的第一驗證電壓是否高于默認電壓；以及
當所述第一驗證電壓高于所述默認電壓時，對所述選擇字線施加第一驗證電壓，同時，對未選中上選擇字線進行接地。
2.根據權利要求1所述的編程方法，還包括：所述第一驗證電壓大于驗證過程中所用的其他驗證電壓。
3.根據權利要求1所述的編程方法，還包括：
接地所用的電壓是0V。
4.根據權利要求1所述的編程方法，還包括：
當所述第一驗證電壓不滿足目標閾值電壓時，對所述3D NAND閃存的所述選擇字線進行編程；以及
對所述3D NAND閃存的所述選擇字線執行第二驗證過程。
5.根據權利要求4所述的編程方法，還包括：
當所述第二驗證過程的第二驗證電壓滿足所述目標閾值電壓時，抑制所述3D NAND閃存的所述選擇字線。
6.根據權利要求3所述的編程方法，還包括：
當所述第一驗證電壓滿足所述目標閾值電壓時，抑制所述3D NAND閃存的所述選擇字線。
7.一種三維(3D)NAND存儲器，所述3D NAND閃存包括：
多條位線，其中，所述多條位線包括多個字線(WL)層，以及
控制器，其被配置為對(3D)NAND閃存進行編程驗證，包括：
對所述3D NAND閃存進行編程；
利用至少一個驗證電壓對所述3D NAND閃存執行第一驗證過程，
確定所述第一驗證過程的第一驗證電壓是否高于默認電壓；以及
當所述第一驗證電壓高于所述默認電壓時，對所述選擇字線施加第一驗證電壓，同時，對未選中上選擇字線進行接地。
8.根據權利要求7所述的3D NAND閃存，其中，所述控制器被配置為當所述第一驗證電壓低于或等于所述默認電壓時，對所述3D NAND閃存的所述選擇字線進行編程。
9.根據權利要求7所述的3D NAND閃存，其中，所述控制器被配置為確定所述第一驗證電壓是否滿足目標閾值電壓。
10.根據權利要求9所述的3D NAND閃存，其中，所述控制器被配置為當所述第一驗證電壓不滿足目標閾值電壓時，對所述3D NAND閃存的所述選擇字線進行編程，并對所述3DNAND閃存的所述選擇字線執行第二驗證過程。
11.根據權利要求10所述的3D NAND閃存，其中，所述控制器被配置為當所述第二驗證過程的第二驗證電壓滿足所述目標閾值電壓時，抑制所述3D NAND閃存的所述選擇字線。
12.根據權利要求9所述的3D NAND閃存，其中，所述控制器被配置為當所述第一驗證電壓滿足所述目標閾值電壓時，抑制所述3D NAND閃存的所述選擇字線。
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