[發(fā)明專利]成膜裝置、調(diào)整裝置、調(diào)整方法及電子器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111113844.3 | 申請日: | 2021-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN114318283A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 石井博;唐澤拓郎 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能特機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/50;C23C14/54;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 韓卉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 調(diào)整 方法 電子器件 制造 | ||
本發(fā)明提供一種抑制基板與掩模的對準(zhǔn)的精度的降低的成膜裝置、調(diào)整裝置、調(diào)整方法及電子器件的制造方法。成膜裝置具備:腔室,其將內(nèi)部保持為真空;吸附板,其設(shè)置在腔室的內(nèi)部,吸附基板;掩模臺,其設(shè)置在腔室的內(nèi)部,載置掩模;以及對準(zhǔn)部件,其進(jìn)行吸附于吸附板的基板與載置于掩模臺的掩模的對準(zhǔn)。另外,成膜裝置具備調(diào)整部件,所述調(diào)整部件在腔室的內(nèi)部保持為真空的狀態(tài)下,調(diào)整吸附板與掩模臺的相對傾斜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及成膜裝置、調(diào)整裝置、調(diào)整方法及電子器件的制造方法。
背景技術(shù)
在有機(jī)EL顯示器等的制造中,使用掩模在基板上對蒸鍍物質(zhì)進(jìn)行成膜。作為成膜的預(yù)處理,進(jìn)行掩模與基板的對準(zhǔn),使兩者重疊。在專利文獻(xiàn)1中公開了在靜電吸盤等吸附板吸附有基板的狀態(tài)下,使基板與掩模接近來進(jìn)行對準(zhǔn)。另外,在專利文獻(xiàn)2中公開了在使支承于基板支承部的基板吸附于靜電吸盤的過程中,為了減少基板的撓曲的影響而使多個基板支承部的高度不同。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2019-099910號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特開2019-102802號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在上述現(xiàn)有技術(shù)中,基板與掩模的對準(zhǔn)是在保持為真空的腔室的內(nèi)部進(jìn)行的。但是,當(dāng)使腔室的內(nèi)部為真空狀態(tài)時,由于腔室外部的壓力(大氣壓)與腔室內(nèi)部的壓力之差而在腔室產(chǎn)生形變,由此,有時在吸附基板的吸附板與載置掩模的掩模臺之間發(fā)生相對傾斜。該相對傾斜有時會對對準(zhǔn)的精度造成影響。
本發(fā)明提供一種抑制基板與掩模的對準(zhǔn)的精度的降低的技術(shù)。
用于解決課題的手段
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種成膜裝置,所述成膜裝置具備:
腔室,其將內(nèi)部保持為真空;
吸附板,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,吸附基板;
掩模臺,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,載置掩模;以及
對準(zhǔn)部件,其進(jìn)行吸附于所述吸附板的所述基板與載置于所述掩模臺的所述掩模的對準(zhǔn),
其特征在于,
所述成膜裝置具備調(diào)整部件,所述調(diào)整部件在所述腔室的內(nèi)部保持為真空的狀態(tài)下,調(diào)整所述吸附板與所述掩模臺的相對傾斜。
另外,根據(jù)本發(fā)明的其他方面,提供一種調(diào)整裝置,所述調(diào)整裝置安裝于成膜裝置,所述成膜裝置包括:
腔室,其將內(nèi)部保持為真空;
吸附板,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,吸附基板;
掩模臺,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,載置掩模;以及
對準(zhǔn)部件,其進(jìn)行吸附于所述吸附板的所述基板與載置于所述掩模臺的所述掩模的對準(zhǔn),
其特征在于,
所述調(diào)整裝置具備調(diào)整部件,所述調(diào)整部件在所述腔室的內(nèi)部保持為真空的狀態(tài)下,調(diào)整所述吸附板與所述掩模臺的相對傾斜。
另外,根據(jù)本發(fā)明的其他方面,提供一種調(diào)整方法,所述調(diào)整方法是成膜裝置的調(diào)整方法,所述成膜裝置具備:
腔室,其將內(nèi)部保持為真空;
吸附板,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,吸附基板;
掩模臺,其設(shè)置在所述腔室的內(nèi)部,載置掩模;以及
對準(zhǔn)部件,其進(jìn)行吸附于所述吸附板的所述基板與載置于所述掩模臺的所述掩模的對準(zhǔn),
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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