[發明專利]晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法及測試方法

在審

• 申請號: 202111113271.4
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113834859A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 馮毅龍;盧振亞;呂明;戴婷
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技股份有限公司;華南理工大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;G01N27/04;G01R27/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 董領遜

1.一種晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，包括：

在晶界層上制備微米級金電極；

在所述晶界層的表面均勻涂覆一層光刻膠并進行固化；

使用圖形化掩膜版對表面涂覆固化有光刻膠的晶界層基片進行曝光；

使用蝕刻液蝕刻無光刻膠保護圖層的所述微米級金電極后，進行清洗得到微米級電極。

2.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，所述在晶界層上制備微米級金電極，具體包括：

在晶界層基片上的晶粒內部或晶界處制備微米級金電極。

3.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，所述圖形化掩膜版帶有m╳m中方陣的大方陣；所述中方陣由n╳n小方陣形成；所述小方陣由1╳1的微米級金電極形成；每一所述小方陣上均設置有編碼。

4.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，所述微米級電極的尺寸根據晶粒大小確定。

5.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，采用薄金工藝在晶界層上制備微米級金電極。

6.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，曝光時間為20-40秒，顯影時間為40-60秒。

7.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，所述蝕刻液為金腐蝕液。

8.根據權利要求1所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法，其特征在于，使用蝕刻液蝕刻無光刻膠保護圖層的所述微米級金電極后，采用丙酮超聲清洗15分鐘得到微米級電極。

9.一種晶界層晶粒晶界性能的測試方法，其特征在于，包括：

制備晶界層基片；

在所述晶界層基片中找到分布于晶界兩邊的微米級電極塊；所述微米級電極塊中包含的微米級電極由權利要求1-8任意一項所述的晶界層晶粒晶界性能的微米級電極制備方法制備得到；

以所述微米級電極塊為測試點，測試晶界的電性能；所述電性能包括：容量、絕緣電阻、CV特性和IV曲線；

將所述電性能與晶粒大小、晶界類型進行歸類，對比電性能差異。