[發(fā)明專利]用于沉積包含鍺硫族化物的層的系統(tǒng)、裝置和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111110091.0
• 申請(qǐng)日: 2021-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN114256291A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.E.吉文斯;樸容國(guó);M.凱邁克斯;A.海德;R.德爾霍涅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司;IMEC公司
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種用于選擇性地沉積材料的方法，所述方法按照以下順序包含：

在反應(yīng)室中提供包含第一表面和第二表面的襯底；

將表面調(diào)節(jié)劑提供到所述反應(yīng)室，由此選擇性地鈍化所述第一表面并且形成鈍化的第一表面；以及

將包含鍺的鍺前體、包含氮族元素的氮族元素反應(yīng)物和包含硫族元素的硫族元素反應(yīng)物提供到所述反應(yīng)室，

因此，相對(duì)于所述第一表面將所述材料選擇性地沉積在所述第二表面上，所述材料包含所述鍺、所述氮族元素和所述硫族元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述鍺前體包含鹵化鍺。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述氮族元素包含銻，并且其中所述氮族元素反應(yīng)物包含銻前體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述銻前體包含鹵化銻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述硫族元素包含碲，并且其中所述硫族化物前體包含碲前體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述碲前體包含硅烷基碲。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述表面調(diào)節(jié)劑包含硅烷基部分，并且其中選擇性地鈍化所述第一表面包含在所述第一表面上選擇性地形成硅烷基。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中將鍺前體、氮族元素反應(yīng)物和硫族元素反應(yīng)物提供到所述反應(yīng)室的步驟包含循環(huán)沉積工藝，所述循環(huán)沉積工藝包含多個(gè)循環(huán)，所述循環(huán)包含多個(gè)脈沖，所述多個(gè)脈沖按照任何順序包含：

以鍺前體脈沖將所述鍺前體提供到所述反應(yīng)室；

以氮族元素反應(yīng)物脈沖將所述氮族元素反應(yīng)物提供到所述反應(yīng)室；以及

以硫族元素反應(yīng)物脈沖將所述硫族元素反應(yīng)物提供到所述反應(yīng)室。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中借助于吹掃將所述鍺前體脈沖、所述氮族元素反應(yīng)物脈沖和/或所述硫族元素反應(yīng)物脈沖與其它脈沖分離。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述氮族元素反應(yīng)物脈沖在所述鍺前體脈沖之前。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述第二表面包含金屬氮化物或金屬。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二表面包含氮化鈦或鎢。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述第一表面包含氧化物。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一表面包含氧化硅。

15.一種用于制造中間存儲(chǔ)器裝置結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含：

提供襯底，所述襯底在上表面上包含多層堆疊，所述多層堆疊包含水平交替的第一層和第二層；

所述第一層包含第一材料，所述第一材料包含電介質(zhì)材料；

所述第二層包含末端，所述第二層至少在其末端上包含金屬或金屬氮化物，所述金屬或所述金屬氮化物形成電極；

在所述多層堆疊中形成開口，由此暴露所述金屬或所述金屬氮化物；

借助于根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的方法在所述金屬或所述金屬氮化物上選擇性地沉積包含鍺、氮族元素和硫族化物的材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包含在沉積所述鍺硫族化物之前使所述金屬或所述金屬氮化物部分地凹進(jìn)的步驟。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述鍺硫族化物上沉積另外的金屬或另外的金屬氮化物，從而形成第二電極。