[發明專利]一種晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件在審
| 申請號: | 202111101616.4 | 申請日: | 2021-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN114023787A | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 蘇維燕;陳燕平;林俊良;林金錫;林金漢 | 申請(專利權)人: | 常州亞瑪頓股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;H01L27/28 |
| 代理公司: | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 張紅艷 |
| 地址: | 213021 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦疊層光伏 組件 | ||
本發明提供一種晶硅?鈣鈦礦疊層光伏組件,包括從上至下依次層疊設置的正面玻璃、鈣鈦礦電池層、上層膠膜、晶硅電池層、下層膠膜以及背面玻璃;其中所述晶硅電池層位于所述鈣鈦礦電池層的垂直投影區域,所述鈣鈦礦電池層的垂直投影面積不小于所述晶硅電池層的面積;所述鈣鈦礦電池層的電路回路與所述晶硅電池層的電路回路相互獨立。本發明提供的晶硅?鈣鈦礦疊層光伏組件,通過將鈣鈦礦電池層的電路回路與晶硅電池層的電路回路獨立設置,使得兩個電路回路分別獨立運行,從而在設計過程中無需考慮鈣鈦礦電池層與晶硅電池層之間的電流與電壓匹配問題,避免出現鈣鈦礦電池層與晶硅電池層電流與電壓難以匹配的問題。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體而言,涉及一種晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件。
背景技術
由于晶硅電池組件光電轉換效率有限,為了充分利用光譜和能量轉換,突破光電轉換效率,疊層電池組件為此提供了一個技術方向。鈣鈦礦作為一種有機無機混合材料,可以通過離子替換的方法調節其帶隙,使它成為非常理想的疊層電池材料,可疊加在晶硅電池頂層構成晶硅-鈣鈦礦電池組件,從而提高電池組件的效率。
目前晶硅-鈣鈦礦光伏組件中的晶硅電池層與鈣鈦礦薄膜電池層,均采用串聯或者并聯連接的兩端出線的組件結構;根據鈣鈦礦電池的材料特性,決定了鈣鈦礦電池的衰減速率大于晶硅電池的衰減速率,且溫度變化對頂部鈣鈦礦電池層與底部晶硅電池層的電流電壓影響不同,導致鈣鈦礦電池層與晶硅電池層的電流和電壓難以完全匹配,從而影響晶硅-鈣鈦礦組件發電效率及工作壽命。
發明內容
本發明解決的問題是現有的晶硅-鈣鈦礦組件中,鈣鈦礦電池層與晶硅電池層的電流和電壓難以完全匹配。
為解決上述問題,本發明提供一種晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件,包括從上至下依次層疊設置的正面玻璃、鈣鈦礦電池層、上層膠膜、晶硅電池層、下層膠膜以及背面玻璃;其中所述晶硅電池層位于所述鈣鈦礦電池層的垂直投影區域,所述鈣鈦礦電池層的垂直投影面積不小于所述晶硅電池層的面積;所述鈣鈦礦電池層的電路回路與所述晶硅電池層的電路回路相互獨立。
可選地,所述上層膠膜的厚度不小于1mm;所述鈣鈦礦電池層的邊緣與所述正面玻璃的邊緣之間的距離不小于11mm。
可選地,所述鈣鈦礦電池層的電路引出線與所述晶硅電池層的電路引出線位于不同的區域。
可選地,所述鈣鈦礦電池層包括至少兩個并聯連接的鈣鈦礦電池組;每一所述鈣鈦礦電池組均包括多個串聯連接或串并聯連接的鈣鈦礦電池。
可選地,所述鈣鈦礦電池層的電路引出線位于光伏組件的同一側。
可選地,所述晶硅電池層包括兩個并聯連接的晶硅電池組;所述晶硅電池組包括多個串聯連接的晶硅電池。
可選地,所述晶硅電池層的電路引出線位于光伏組件的中部位置。
可選地,所述鈣鈦礦電池層與所述晶硅電池層按照能隙從大到小的順序疊合形成疊層結構。
可選地,所述鈣鈦礦電池層的能隙為所述晶硅電池層的能隙的1.4~2倍。
可選地,所述鈣鈦礦電池層的短路電流密度小于所述晶硅電池層的短路電流密度。
與現有技術相比,本發明提供的晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件具有如下優勢:
本發明提供的晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件,通過將鈣鈦礦電池層的電路回路與晶硅電池層的電路回路獨立設置,使得兩個電路回路分別獨立運行,從而在設計過程中無需考慮鈣鈦礦電池層與晶硅電池層之間的電流與電壓匹配問題,在避免出現鈣鈦礦電池層與晶硅電池層電流與電壓難以匹配問題的同時,簡化了晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件的設計與制造過程,降低了設計與制造難度。
附圖說明
圖1為本發明中晶硅-鈣鈦礦疊層光伏組件的結構簡圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





