[發明專利]近場探頭的校準方法、裝置、系統、設備及存儲介質在審
| 申請號: | 202111083991.0 | 申請日: | 2021-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN113900058A | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發明(設計)人: | 邵偉恒;黃權;方文嘯;王磊;黃云;路國光;易志強 | 申請(專利權)人: | 中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室)) |
| 主分類號: | G01R35/00 | 分類號: | G01R35/00;G01R15/00;G01R31/28;G01R1/067 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 王天慶 |
| 地址: | 511300 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 近場 探頭 校準 方法 裝置 系統 設備 存儲 介質 | ||
1.一種近場探頭的校準方法,其特征在于,所述近場探頭包括第一接頭和第二接頭,所述第一接頭用于與矢量分析儀的第一端口連接,所述第二接頭用于與矢量分析儀的第二端口連接,所述近場探頭的探測部與所述第一接頭、第一端口形成第一傳輸鏈路,所述近場探頭的探測部與所述第二接頭、第二端口形成第二傳輸鏈路,所述方法包括步驟:
對所述近場探頭施加近場,獲取所述近場探頭在第一角度條件下的所述近場的第一特征參數,以及所述近場探頭的第一總輸出信號和第二總輸出信號;所述第一總輸出信號為所述第一端口的輸入信號,所述第二總輸出信號為所述第二端口的輸入信號;
將所述第一總輸出信號和第二總輸出信號通過校準矩陣、所述第一特征參數進行表征,構建第一傳遞模型;
獲取所述近場探頭在第二角度條件下的所述近場的第二特征參數,以及所述近場探頭的第三總輸出信號和第四總輸出信號;所述第三總輸出信號為所述第一端口的輸入信號,所述第四總輸出信號為所述第二端口的輸入信號;所述第二角度不等于所述第一角度;
將所述第三總輸出信號和第四總輸出信號通過所述校準矩陣、所述第二特征參數進行表征,構建第二傳遞模型;
根據所述第一傳遞模型和第二傳遞模型計算獲得所述校準矩陣的參數因子,根據所述校準矩陣的參數因子對所述近場探頭進行校準。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括,根據所述第一傳輸鏈路和第二傳輸鏈路的散射參數,表征所述校準矩陣;所述校準矩陣包括所述參數因子,所述參數因子包括第一電場因子Ke1、第二電場因子Ke2、第一磁場因子Kh1、第二磁場因子Kh2,所述校準矩陣為
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,所述將所述第一總輸出信號和第二總輸出信號通過校準矩陣、所述第一特征參數進行表征,構建第一傳遞模型包括:
設定所述第一總輸出信號為b3,設定所述第二總輸出信號b2,所述第一特征參數包括電場和磁場所述第一傳遞模型表示為
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述將所述第三總輸出信號和第四總輸出信號通過所述校準矩陣、所述第二特征參數進行表征,構建第二傳遞模型包括:
設定所述第三總輸出信號為b′3,設定所述第四總輸出信號b′2,所述第二特征參數包括電場和磁場所述第二傳遞模型表示為
5.一種近場探頭的校準裝置,其特征在于,所述近場探頭包括第一接頭和第二接頭,所述第一接頭用于與矢量分析儀的第一端口連接,所述第二接頭用于與矢量分析儀的第二端口連接,所述近場探頭的探測部與所述第一接頭、第一端口形成第一傳輸鏈路,所述近場探頭的探測部與所述第二接頭、第二端口形成第二傳輸鏈路,所述裝置包括:
近場模塊,用于對所述近場探頭施加近場;
第一采集模塊,用于獲取所述近場探頭在第一角度條件下的所述近場的第一特征參數,以及所述近場探頭的第一總輸出信號和第二總輸出信號;所述第一總輸出信號為所述第一端口的輸入信號,所述第二總輸出信號為所述第二端口的輸入信號;
第一傳遞模型模塊,用于將所述第一總輸出信號和第二總輸出信號通過校準矩陣、所述第一特征參數進行表征,構建第一傳遞模型;
第二采集模塊,用于獲取所述近場探頭在第二角度條件下的所述近場的第二特征參數,以及所述近場探頭的第三總輸出信號和第四總輸出信號;所述第三總輸出信號為所述第一端口的輸入信號,所述第四總輸出信號為所述第二端口的輸入信號;所述第二角度不等于所述第一角度;
第二傳遞模型模塊,將所述第三總輸出信號和第四總輸出信號通過所述校準矩陣、所述第二特征參數進行表征,構建第二傳遞模型;
校準模塊,用于根據所述第一傳遞模型和第二傳遞模型計算獲得所述校準矩陣的參數因子,根據所述校準矩陣的參數因子對所述近場探頭進行校準。
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