[發明專利]一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構及方法

在審

• 申請號: 202111081736.2
• 申請日: 2021-09-15
• 公開（公告）號: CN113793839A
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 李萬霞;呂海蘭;郭小偉;馬勉之;侯縣瑤;崔雪麗
• 申請（專利權）人: 華天科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陳翠蘭

1.一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，包括框架(5)、產品塑封體(2)和若干管腳(1)，若干管腳(1)設置在框架(5)上，產品塑封體(2)塑封在框架(5)上且覆蓋在若干管腳(1)上，其中每個管腳(1)上對應設有正面半蝕刻區域(4)，正面半蝕刻區域(4)在管腳(1)根部處靠近焊線設置，用于實現阻止錫離子滲進管腳(1)，而腐蝕熔斷焊線。

2.根據權利要求1所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，所述正面半蝕刻區域(4)的結構呈凹槽結構布置在管腳(1)上。

3.根據權利要求1所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，所述正面半蝕刻區域(4)的寬度小于管腳(1)的寬度。

4.根據權利要求1所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，所述正面半蝕刻區域(4)的形狀采用倒三角形、圓形、矩形或橢圓形。

5.根據權利要求1所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，所述正面半蝕刻區域(4)在管腳(1)根部的中間位置處設置。

6.根據權利要求1所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，所述框架(5)與管腳(1)之間通過時刻處理形成背面半蝕刻區域(3)。

7.一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善方法，基于權利要求1-6任一項所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善結構，其特征在于，包括如下步驟：

對框架(5)進行蝕刻處理，在框架(5)與管腳(1)之間的背面半蝕刻區域(3)中進行背面半蝕刻，管腳(1)的根部處靠近焊線處設置有正面半蝕刻區域(4)，產品塑封體對管腳(1)進行了塑封后，在對帶有正面半蝕刻區域(4)的產品進行腐蝕試驗，完成腐蝕試驗后，對框架(5)進行正常封裝、鍍錫以及切割成單顆產品。

8.根據權利要求7所述的一種框架類產品錫離子滲入管腳的改善方法，其特征在于，正面半蝕刻區域(4)在管腳(1)根部處用于在腐蝕試驗過程中，阻止錫離子滲進管腳，進而腐蝕熔斷焊線，影響產品性能。