[發明專利]加熱裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202111073104.1
• 申請日: 2021-09-14
• 公開（公告）號: CN115810669A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 劉侑宗;謝承學;萬瑋琳;李淂裕
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L23/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本公開提供一種加熱裝置，包括：一基板；一薄膜晶體管，設置于該基板上，包括一柵極、一半導體層、一源極與一漏極；一加熱組件，設置于該基板上；以及一橋接組件，分別電性連接該源極與該漏極的其中一者與該加熱組件。本公開亦提供一種加熱裝置的制造方法。

技術領域

本公開有關于一種加熱裝置，特別是有關于一種以薄膜晶體管驅動的加熱裝置。

背景技術

目前利用IC制程將加熱裝置制作在硅基板上。由于受限晶圓尺寸，當欲制作大面積加熱裝置時，即需使用拼接方式，將較小尺寸的加熱芯片，透過間隔對準與校正方式拼成較大尺寸加熱模塊。然而，使用拼接的方式制作，會造成制作成本提高，且無法大量生產。

發明內容

根據本公開的一實施例，提供一種加熱裝置，包括：一基板；一薄膜晶體管，設置于該基板上，包括一柵極、一半導體層、一源極與一漏極；一加熱組件，設置于該基板上；以及一橋接組件，分別電性連接該源極與該漏極的其中一者與該加熱組件。

根據本公開的一實施例，提供一種加熱裝置的制造方法，包括：提供一基板；形成一半導體層于該基板上；形成一柵極于該半導體層上；形成一源極與一漏極于該柵極上；形成一加熱組件于該基板上；以及形成一橋接組件于該基板上，使該橋接組件分別電性連接該加熱組件與該源極與該漏極的其中一者。

附圖說明

以下將配合所附附圖詳述本公開實施例。應注意的是，各種特征部件并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，組件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本公開實施例的技術特征。

圖1根據本公開的一實施例，一種加熱裝置的電路配置圖；

圖2根據本公開的一實施例，一種加熱裝置的剖面示意圖；

圖3根據本公開的一實施例，一種加熱裝置的剖面示意圖；

圖4根據本公開的一實施例，一種加熱裝置的剖面示意圖；

圖5根據本公開的一實施例，一種加熱裝置的剖面示意圖；

圖6A根據本公開的一實施例，一種加熱裝置中加熱組件與橋接組件的配置；

圖6B根據本公開的一實施例，一種加熱裝置中加熱組件與橋接組件的配置；

圖7A根據本公開的一實施例，一種加熱裝置中加熱組件與橋接組件的配置；

圖7B根據本公開的一實施例，一種加熱裝置中加熱組件與橋接組件的配置；

圖8A～8I根據本公開的一實施例，一種加熱裝置制造方法的剖面示意圖。

符號說明

10:加熱裝置

12:基板

14:緩沖層

16:半導體層

16a:源極區

16b:漏極區

18:第一絕緣層

20:第一金屬層

22:第二絕緣層

23,25,25’,27:開孔

24:第二金屬層

24a:源極

24b:漏極

26:第三絕緣層

28,400:加熱組件

28a,28b:加熱部

30:第三金屬層