[發明專利]加熱裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202111073104.1
• 申請日: 2021-09-14
• 公開（公告）號: CN115810669A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 劉侑宗;謝承學;萬瑋琳;李淂裕
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L23/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種加熱裝置，包括：

一基板；

一薄膜晶體管，設置于該基板上，包括一柵極、一半導體層、一源極與一漏極；

一加熱組件，設置于該基板上；以及

一橋接組件，分別電性連接該源極與該漏極的其中一者與該加熱組件。

2.如權利要求1的加熱裝置，更包括一第一絕緣層以及一第二絕緣層，其中該第一絕緣層設置于該半導體層與該柵極之間，該第二絕緣層設置于該柵極與該漏極之間，且該第一絕緣層與該第二絕緣層分別包括一鏤空區域對應該加熱組件的位置。

3.如權利要求1的加熱裝置，其特征在于，該橋接組件的一第一部分設置于該源極與該漏極的其中一者的上方，該橋接組件的一第二部分設置于該加熱組件的上方。

4.如權利要求3的加熱裝置，更包括一第三絕緣層，設置于該漏極上，其中該橋接組件的該第二部分透過該第三絕緣層的一第一接觸孔與該加熱組件電性連接。

5.如權利要求1的加熱裝置，其特征在于，該橋接組件的一第一部分設置于該源極與該漏極的其中一者的上方，該橋接組件的一第二部分設置于該加熱組件的下方。

6.如權利要求1的加熱裝置，其特征在于，該加熱組件的材料包括金屬、金屬合金、金屬氧化物、或其組合。

7.如權利要求6的加熱裝置，其特征在于，該加熱組件的材料為銦錫氧化物(ITO)。

8.如權利要求1的加熱裝置，其特征在于，該橋接組件的材料包括鉬、鈦、金屬氧化物、或其組合。

9.如權利要求1的加熱裝置，更包括一連接組件，其中該加熱組件包括沿著同一方向延伸的兩加熱部，該連接組件分別電性連接該兩加熱部。

10.如權利要求9的加熱裝置，其特征在于，該連接組件包括未與該兩加熱部重疊的部分。

11.如權利要求9的加熱裝置，其特征在于，該連接組件分別透過一第三絕緣層的兩接觸孔與該兩加熱部電性連接。

12.一種加熱裝置的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一半導體層于該基板上；

形成一柵極于該半導體層上；

形成一源極與一漏極于該柵極上；

形成一加熱組件于該基板上；以及

形成一橋接組件于該基板上，使該橋接組件分別電性連接該加熱組件與該源極與該漏極的其中一者。

13.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，其特征在于，形成該加熱組件的步驟是執行于形成該橋接組件的步驟之前。

14.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，其特征在于，形成該加熱組件的步驟是執行于形成該橋接組件的步驟之后。

15.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，更包括：

形成一第一絕緣層于該半導體層與該柵極之間；

形成一第二絕緣層于該柵極與該漏極之間；以及

移除該第一絕緣層與該第二絕緣層的一部分以形成一鏤空區域，使該加熱組件形成于該基板對應該鏤空區域的位置上。

16.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，其特征在于，形成該加熱組件的步驟是執行于形成該源極與該漏極的步驟之前。

17.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，其特征在于，形成該加熱組件的步驟包含對該加熱組件執行一退火制程。

18.如權利要求12的加熱裝置的制造方法，更包括形成一第三絕緣層于該漏極上，其中該第三絕緣層包括一第一接觸孔，使該橋接組件透過該第一接觸孔與該加熱組件電性連接。