[發(fā)明專利]一種SiC/SiC復(fù)合材料高致密多層基體及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111065251.4
• 申請日: 2021-09-11
• 公開（公告）號: CN113754442B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成來飛;葉昉;郭廣達(dá);宋超坤;張立同
• 申請（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C04B35/577
• 分類號: C04B35/577;C04B35/80;C04B35/622
• 代理公司: 西安凱多思知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61290
• 代理人: 王鮮凱

1.一種SiC/SiC復(fù)合材料高致密多層基體的制備方法，其特征在于步驟如下：

步驟1、多孔SiC/SiC復(fù)材的制備：采用CVI工藝在編織后的SiC纖維上沉積BN界面，再采用CVI工藝沉積SiC基體至半致密化狀態(tài)，得多孔SiC/SiC復(fù)材；

步驟2、配制300~500nm SiC顆粒水基漿料：將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5~1.0wt.% 四甲基氫氧化銨TMAH和體積分?jǐn)?shù)為3~5vol.%的SiC顆粒加入到去離子水中，球磨后獲得均勻分散漿料；

步驟3、300~500nmSiC顆粒水基漿料的浸漬：

真空浸漬：將多孔SiC/SiC復(fù)材放入玻璃干燥皿中，抽真空至玻璃皿內(nèi)壓力低于0.09Mpa，保持10~20min后，將SiC/SiC復(fù)材浸入步驟2獲得的漿料中保持10~15min；

壓力浸漬：將多孔SiC/SiC復(fù)材連同漿料放入密閉容器中加壓0.8Mpa,保持20~30min后取出，干燥；

步驟4、配制3~5μm SiC顆粒水基漿料：將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1~0.3wt.% 四甲基氫氧化銨TMAH和體積分?jǐn)?shù)為3~10vol.%的SiC顆粒加入到去離子水中，球磨后獲得均勻分散漿料；

步驟5、3~5μm SiC顆粒水基漿料的浸漬：

真空浸漬：將多孔SiC/SiC復(fù)材放入玻璃干燥皿中，抽真空至玻璃皿內(nèi)壓力低于0.09Mpa，保持20~30min后，將SiC/SiC復(fù)材浸入步驟4獲得的漿料中保持20~30min；

壓力浸漬：將SiC/SiC復(fù)材連同漿料放入密閉容器中加壓0.8Mpa,保持10~20min后取出，干燥；

步驟6、CVI 熱解碳：將浸漬完成后的SiC/SiC-SiCp放入CVI熱解碳沉積爐內(nèi)沉積熱解碳30~80小時(shí)；

步驟7、液硅滲透：將沉積完熱解碳的SiC/SiC-SiCp-PyC復(fù)合材料用Si粉包裹，最外層用石墨紙包扎，之后將包裹有Si粉的復(fù)合材料放入滲硅爐中，在1430~1550℃真空環(huán)境下進(jìn)行液硅滲透20~60min，完成SiC/SiC復(fù)合材料的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2的球磨：球磨罐中加入氧化鋯球磨珠，濕磨20~24小時(shí)，球磨轉(zhuǎn)速為100-300r/min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2的球磨：球磨罐中加入氧化鋯球磨珠，濕磨10~12小時(shí)，球磨轉(zhuǎn)速為80-120r/min。